[發明專利]一種聚四氟乙烯導電薄膜及制作方法在審
| 申請號: | 202010845193.6 | 申請日: | 2020-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN112143144A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 吳良全;吳浪浪 | 申請(專利權)人: | 湖北艾克爾工程塑料有限公司 |
| 主分類號: | C08L27/18 | 分類號: | C08L27/18;C08K3/04;C08J5/18 |
| 代理公司: | 北京紐樂康知識產權代理事務所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 范赤 |
| 地址: | 430014 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 聚四氟乙烯 導電 薄膜 制作方法 | ||
本發明公開了一種聚四氟乙烯導電薄膜及制作方法,其組成原料包括聚四氟乙烯樹脂、超級導電碳黑和CNT復合碳粉,質量百分比分別為94?96.5%、2?3.5%和1.5?2.5%。制作方法包括原材料配制、模壓工藝制作導電制件或導電薄膜坯料以及導電薄膜的制作,原材料配制過程進一步包括:一次母料配制、二次母料配制、導電原料的配制和導電原料復混。本發明的有益效果:通過在聚四氟乙烯樹脂中加入一定比例的超導碳粉和CNT復合碳粉將其改性為導電性良好的基材,通過使用高速混合機多次混合的方法使聚四氟乙烯導電薄膜的各原材料混合均勻,提高產品的導電穩定性和一致性。
技術領域
本發明涉及導電薄膜技術領域,具體來說,涉及一種聚四氟乙烯導電薄膜 及制作方法。
背景技術
聚四氟乙烯(PTFE)是高分子量的聚合物,其分子量達100.015(C2F4), PTFE具有良好的耐溫性,可在260℃-180℃溫度范圍內長期使用,有非常優秀 的抗腐蝕特性,具有抗強酸,強堿,抗各種有機溶劑的特點,可在極其苛刻的 強酸,強堿環境下長時間使用而不被腐蝕,PTFE是優良的介電材料,為C級 絕緣材料。PTFE還有良好的不粘性,不與任何物質粘連,PTFE摩擦系數低, 是良好的潤滑材料。
由于工業創新創造的大力開展,化工、電子、新能源等領域不斷提出新的 要求,因此PTFE薄膜及制件的高絕緣性被要求改性為高導電性。一種耐腐蝕、 防滲透、高傳導、高強度的PTFE產品被市場所尋覓。PTFE是優秀的絕緣材料, 但是若提高導電性,PTFE薄膜的滲透率會大幅下降,防腐的安全性也隨之大 幅降低,且產品的物理性能也大幅降低,因此若將其改性為導電性良好的基材 是極其困難的,需要克服以下困難:①PTFE原料中要添加一定量的導電材料, 導電材料粒子需與PTFE粒子均勻結合;②導電材料必須耐400℃以上的高溫 和零下180℃的低溫;③導電材料必須能耐強酸強堿強腐蝕;④導電材料添加 在PTFE樹脂中,其要保持PTFE原有的物理性能不變或物理性能略有降低。除 此之外,如何將PTFE和導電材料混合均勻對產品的導電穩定性和一致性至關 重要,但目前尚未提出有效的混合方法。
針對相關技術中的問題,目前尚未提出有效的解決方案。
發明內容
針對相關技術中的上述技術問題,本發明提出一種聚四氟乙烯導電薄膜及 制作方法,能夠克服現有技術的上述不足。
為實現上述技術目的,本發明的技術方案是這樣實現的:
一種PTFE導電薄膜,其組成原料包括PTFE樹脂,超級導電碳黑和CNT 復合碳粉,所述PTFE樹脂,超級導電碳黑和CNT復合碳粉的質量百分比分 別為94-96.5%、2-3.5%和1.5-2.5%。
進一步的,所述PTFE樹脂為粒徑≤40μm的懸浮型細料,所述超級導 電碳黑型號為Ketjenblack.EC-600JD,所述CNT復合碳粉型號為 K-Nanos-100P或K-Nanos-210P。
另一方面,本發明還提供了一種如上所述的PTFE導電薄膜的制作方法, 包括以下步驟:
S1、原材料配制,進一步包括:
S1.1、一次母料配制:
S1.1.1、取超級導電碳黑20-35g和CNT復合碳粉15-25g加入到第一 高速混合機中,高速混合2次;
S1.1.2、向第一高速混合機中重復添加10g聚四氟乙烯樹脂5次,每 次添加聚四氟乙烯樹脂后高速混合2次,混合后共得一次母料100g,取出 一次母料并獨立包裝待用;
S1.1.3、重復步驟S1.1.1和步驟S1.1.2共5次,獲得5個100g一次 母料,分別編號為①②③④⑤;
S1.2、二次母料配制:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湖北艾克爾工程塑料有限公司,未經湖北艾克爾工程塑料有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010845193.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





