[發明專利]一種高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法

在審

• 申請號: 202010844358.8
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN112038028A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 陳俊敏;陳錦標
• 申請（專利權）人: 東莞市競沃電子科技有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02
• 代理公司: 東莞市神州眾達專利商標事務所(普通合伙) 44251
• 代理人: 劉漢民

1.一種高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于，至少包括如下步驟：

第一步，在雙螺桿造粒機中采用雙螺桿造粒加工的方式將聚合物和導電物質混合在一起并造粒，形成混合物，；

第二步，在單螺桿擠出成型機中采用單螺桿擠出加工工藝將第一步得到的混合物熔融擠出，形成PPTC片狀材料，將該片狀材料形成于上電極銅箔和下電極銅箔之間，形成PPTC芯片；

第三步，對第二步形成的PPTC芯片進行電子束輻照處理；

第四步，對PPTC芯片進行沖壓，然后通過組裝或者經過PCB加工工藝形成低阻熱敏電阻。

2.根據權利要求1所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：第一步中，聚合物和導電物質的質量比為(2-10)：(90-98)。

3.根據權利要求1所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：第一步中，所述聚合物為聚乙烯、聚氯乙烯、氯化聚乙烯丁二烯-丙烯腈共聚物、聚四氟乙烯、聚碳酸酯、聚氟乙烯、馬來酸酐接枝聚乙烯和聚丙烯中的至少一種；導電物質為碳化鈦、碳化釩、碳化鋯、碳化鎢、碳化鈮、碳化鉬、硼化鈦、硼化釩、硼化鋯、硼化鈮和氮化鈦中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：所述導電物質的粒徑大小介于0.01μm至20μm之間。

5.根據權利要求1所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：第一步中雙螺桿造粒加工的具體工藝為：將聚合物和導電物質預混后從喂料口加入自控溫加熱料筒內，二者經過雙螺桿均勻混合后從出料模頭擠出，形成混合物，混合過程中，濕氣通過設置于自控溫加熱料筒上的排氣孔和抽真空口排出。

6.根據權利要求5所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：自控溫加熱料筒設置為八個，其中，最遠離出料模頭的第一自控溫加熱料筒內的溫度為110℃-130℃，第二自控溫加熱料筒至第八自控溫加熱料筒的溫度為220℃～270℃，出料模頭的溫度為220～270℃；抽真空口的真空度小于500Psi；雙螺桿的轉速為8～15rpm。

7.根據權利要求5或6所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：第二步中，熔融擠出的具體工藝為：將第一步得到的混合物從喂料區加入自控溫加熱高耐磨性材料料筒內，二者經過高耐磨性單螺桿加熱后從成型模頭擠出，形成PPTC片狀材料，混合過程中，濕氣通過設置于自控溫加熱高耐磨性材料料筒上的排氣孔和真空排氣口排出；

將片狀材料形成于上電極銅箔和下電極銅箔之間的具體工藝為：通過上滾筒和下滾筒分別將上電極銅箔和下電極銅箔自動覆膜到PPTC片狀材料的上下兩個表面，從而形成PPTC芯片。

8.根據權利要求7所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：自控溫加熱高耐磨性材料料筒設置為八個，其中，最遠離成型模頭的第一自控溫加熱高耐磨性材料料筒內的溫度為110℃-130℃，第二自控溫加熱高耐磨性材料料筒至第八自控溫加熱高耐磨性材料料筒的溫度為235℃～275℃，成型模頭的溫度為235℃～275℃；真空排氣口的真空度小于500Psi；上滾筒和下滾筒的溫度為180～220℃；滾筒轉速設定2～5刻度之間。

9.根據權利要求7所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：PPTC芯片的厚度為0.18～2.5mm，寬度為200～300mm，長度為300～500mm。

10.根據權利要求1所述的高可靠性低阻熱敏電阻的制作方法，其特征在于：第三步的電子束輻照處理中的具體參數為：疊層控制在1～3層，電子束能量誒2～10Mev，電子束流選擇在5～20mA，小車速度控制在4～20m/min，輻照劑量為30～150kGy。