[發(fā)明專利]針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法和裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010844307.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112098770A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市宏旺微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/01 | 分類號(hào): | G01R31/01 |
| 代理公司: | 深圳市諾正鑫澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44689 | 代理人: | 林國(guó)友 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 針對(duì) 動(dòng)態(tài) 耦合 故障 模擬 極端 環(huán)境 測(cè)試 方法 裝置 | ||
1.一種針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法,其特征在于,所述測(cè)試方法包括:
S1,調(diào)用數(shù)據(jù)寄存器,對(duì)存儲(chǔ)芯片中各個(gè)邏輯地址對(duì)應(yīng)的單元寫入第一數(shù)據(jù)值,并對(duì)應(yīng)讀取所述第一數(shù)據(jù)值,以進(jìn)行AF測(cè)試;
S2,按照所述存儲(chǔ)芯片的地址遞增順序或者地址遞減順序,以3*3矩陣為間隔向矩陣中心對(duì)應(yīng)的邏輯地址中寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值、再寫入第三數(shù)據(jù)值,并實(shí)時(shí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)耦合故障測(cè)試;
S3,遍歷各個(gè)地址讀取所述第三數(shù)據(jù)值,判斷從各個(gè)地址對(duì)應(yīng)的單元中讀取的第三數(shù)據(jù)值與寫入時(shí)的第三數(shù)據(jù)值是否一致,若是,則所述存儲(chǔ)芯片無故障。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法,其特征在于,所述調(diào)用數(shù)據(jù)寄存器的步驟之前,包括:
遍歷各個(gè)單元,確認(rèn)存儲(chǔ)芯片的所有單元對(duì)應(yīng)的邏輯地址,以形成地址遞增順序和地址遞減順序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法,其特征在于,所述按照存儲(chǔ)芯片的地址遞增順序或者地址遞減順序,以3*3矩陣為間隔向矩陣中心對(duì)應(yīng)的邏輯地址中寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值、再寫入第三數(shù)據(jù)值,并實(shí)時(shí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)耦合故障測(cè)試的步驟,包括:
實(shí)時(shí)檢測(cè)所述寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值、再寫入第三數(shù)據(jù)值的過程中是否造成周圍地址的存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)值的變化;
若是,則所述存儲(chǔ)芯片存在動(dòng)態(tài)耦合故障。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法,其特征在于,所述按照存儲(chǔ)芯片的地址遞增順序或者地址遞減順序,以3*3矩陣為間隔向矩陣中心對(duì)應(yīng)的邏輯地址中寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值、再寫入第三數(shù)據(jù)值的步驟,包括:
實(shí)時(shí)檢測(cè)所述寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值的過程中,判斷各個(gè)單元所讀取的數(shù)值與寫入的數(shù)值是否一致;
若否,則所述存儲(chǔ)芯片的對(duì)應(yīng)單元存在固定故障。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法,其特征在于,所述按照存儲(chǔ)芯片的地址遞增順序或者地址遞減順序,以3*3矩陣為間隔向矩陣中心對(duì)應(yīng)的邏輯地址中寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值、再寫入第三數(shù)據(jù)值的步驟,包括:
實(shí)時(shí)檢測(cè)所述讀取所述第二數(shù)據(jù)值、寫入第三數(shù)據(jù)值的過程中,判斷各個(gè)單元所讀取的數(shù)值與寫入的數(shù)值是否一致;
若是,則所述存儲(chǔ)芯片的對(duì)應(yīng)單元存在轉(zhuǎn)換故障。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試方法,其特征在于,在所述步驟S3中,判定所述存儲(chǔ)芯片無故障的步驟之后,還包括:
對(duì)所述第一數(shù)據(jù)值、第二數(shù)據(jù)值以及第三數(shù)據(jù)值均進(jìn)行寫反處理,并根據(jù)寫反處理后的第一數(shù)據(jù)值、第二數(shù)據(jù)值以及第三數(shù)據(jù)值再循環(huán)一次S1~S3。
7.一種針對(duì)動(dòng)態(tài)耦合故障模擬極端環(huán)境下的測(cè)試裝置,其特征在于,包括:
第一讀寫單元,用于調(diào)用數(shù)據(jù)寄存器,對(duì)存儲(chǔ)芯片中各個(gè)邏輯地址對(duì)應(yīng)的單元寫入第一數(shù)據(jù)值,并對(duì)應(yīng)讀取所述第一數(shù)據(jù)值,以進(jìn)行AF測(cè)試;
第二讀寫單元,用于按照所述存儲(chǔ)芯片的地址遞增順序或者地址遞減順序,以3*3矩陣為間隔向矩陣中心對(duì)應(yīng)的邏輯地址中寫入第二數(shù)據(jù)值、讀取所述第二數(shù)據(jù)值、再寫入第三數(shù)據(jù)值,并實(shí)時(shí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)耦合故障測(cè)試;
第三讀寫單元,用于遍歷各個(gè)地址讀取所述第三數(shù)據(jù)值,判斷從各個(gè)地址對(duì)應(yīng)的單元中讀取的第三數(shù)據(jù)值與寫入時(shí)的第三數(shù)據(jù)值是否一致,若是,則所述存儲(chǔ)芯片無故障。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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