[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 202010842274.0
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN112420584A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 辻本浩平
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;黃綸偉

1.一種晶片的加工方法，對由交叉的多條分割預定線劃分而在正面上形成有多個器件的晶片的背面進行磨削，其中，

該晶片的加工方法具有如下的工序：

粘接帶粘貼工序，在該晶片的正面上粘貼粘接帶；

熱壓接片配設工序，在粘貼于該晶片的正面的該粘接帶上配設熱壓接片；

一體化工序，對該熱壓接片進行加熱并且利用平坦部件進行按壓，將該熱壓接片壓接于該粘接帶而進行一體化；

磨削工序，在實施了該一體化工序之后，將該熱壓接片側保持于磨削裝置的卡盤工作臺，一邊向該晶片的背面提供磨削水一邊將該晶片磨削至期望的厚度；以及

剝離工序，從該卡盤工作臺搬出與該熱壓接片一體化的該晶片，將該熱壓接片從該粘接帶剝離。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在該剝離工序中，對該熱壓接片局部地進行加熱或冷卻而產生溫度差，從而將該熱壓接片從該粘接帶剝離。

3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

該熱壓接片是聚烯烴系片或聚酯系片。

4.根據權利要求3所述的晶片的加工方法，其中，

在該熱壓接片是該聚烯烴系片的情況下，從由聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片構成的組中選擇。

5.根據權利要求4所述的晶片的加工方法，其中，

在該一體化工序中對該熱壓接片進行加熱時的溫度在該聚乙烯片的情況下為120℃～140℃，在該聚丙烯片的情況下為160℃～180℃，在該聚苯乙烯片的情況下為220℃～240℃。

6.根據權利要求3所述的晶片的加工方法，其中，

在該熱壓接片是聚酯系片的情況下，從聚對苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片的任意片中選擇。

7.根據權利要求6所述的晶片的加工方法，其中，

在該一體化工序中對熱壓接片進行加熱時的溫度在該聚對苯二甲酸乙二醇酯片的情況下為250℃～270℃，在該聚萘二甲酸乙二醇酯片的情況下為160℃～180℃。