[發明專利]金制品表面納米多層復合抗劃花膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202010842132.4
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN112080723A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 周鴻奎
• 申請（專利權）人: 深圳市矽谷濺射靶材有限公司
• 主分類號: C23C14/12
• 分類號: C23C14/12;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/32;C23C14/35
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 周克佑

1.一種金制品表面納米多層復合抗劃花膜，其特征是：在所述的金制品(或鍍金制品的鍍金層)的表面上從里到外依次覆蓋有金過渡層、由至少一組納米多層復合保護膜單元構成的納米多層結構、Si過渡層、以及最外表層的AF抗指紋膜，所述的每組納米多層復合保護膜單元是由納米透明介質層和覆蓋其上的納米金層構成。

2.根據權利要求1所述的金制品表面納米多層復合抗劃花膜，其特征是：

所述的納米多層復合保護膜的納米透明介質層厚度為20—300nm、納米金層厚度為50—500nm。

3.根據權利要求1所述的金制品表面納米多層復合抗劃花膜，其特征是：所述的Si過渡層厚5—20nm，AF抗指紋層厚20--30nm。

4.根據權利要求1所述的金制品表面納米多層復合抗劃花膜，其特征是：所述的納米透明介質層為氧化物膜或氮化物膜，氧化物包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鈮、氧化硅、氧化鋅和氧化釔，氮化物除優選氮化硅外，還包括氮化鈦和氮化鋯。

5.根據權利要求1所述的金制品表面納米多層復合抗劃花膜，其特征是：所述的納米金層材質與基體的金成分相同，包括純金、各種K金、各種玫瑰金以及各種金合金，也包括鉑和鉑合金。

6.一種金制品表面納米多層復合抗劃花膜的制備方法，其特征是包括以下步驟：

1)爐抽真空

己經清洗干凈的金制品或鍍金制品裝入爐內的公自轉掛具上，抽本底真空3--6x10^-3Pa；

如果：上一工序是在本爐內完成不銹鋼、黃銅基體上離子鍍仿金(TiN)鍍層的飾品，則停鈦靶、停供氮，充Ar氣至1—5Pa，3--10分鐘，停供Ar，抽本底真空達3—6x10^-3Pa；

2)輝光離子清洗

充入Ar氣達1—3Pa，開脈沖偏壓電源，-400至-700V，占空比50—70％，輝光清洗3--10分鐘；

3)打過渡層

對于金制品，充Ar氣1—5x10^-1Pa，偏壓-50至-100v，同時開金的陰極電弧源40—70A和直流磁控濺射金靶2—5A，混鍍0.5--1.5分鐘，關金的陰極電弧源，而金靶繼續濺射達50—500nm，停鍍；

對于不銹鋼、黃銅離子鍍仿金(TiN)鍍層飾品，充Ar氣1—5x10^-1Pa，偏壓-50至-100v，同時開鈦的陰極電弧源(40—70A)和直流磁控濺射金靶(2—5A)，鈦與金混鍍0.5--1.5分鐘，關鈦的陰極電弧源，金靶繼續濺射達50—500nm，停鍍；

4)鍍納米多層第一單元

鍍第一層：開啟專用陶瓷靶電源，運行Al₂O₃磁控濺射孿生陶瓷靶(Al₂O₃靶，5—12A)，控制膜厚達20—300nm，停鍍；

鍍第二層：開金靶濺射(2—5A)，控制膜厚達50—500nm停鍍；

5)鍍納米多層第二單元

鍍第一層：開啟專用陶瓷靶電源，運行磁控濺射孿生陶瓷靶(Al₂O₃靶，5—12A)，控制膜厚達20—300nm停鍍；

鍍第二層：開金濺射靶(2—5A)，控制膜厚達50—500nm停鍍；

6)鍍納米多層第三單元至N單元

各單元分別重復第二單元工藝操作；

7)鍍納米多層最后單元

鍍第一層：開專用陶瓷靶電源，運行磁控濺射孿生陶瓷靶(Al₂O₃靶，5—12A)控制膜厚20—300nm停鍍；

鍍第二層：開金濺射靶(2—5A)，控制膜厚達50—500nm，最后一層金層，一般增加10—20％厚度，停鍍；

8)濺射Si過渡層：開Si靶，靶壓：450—550V，靶流：5-15A，控制膜厚約5—20nm；

9)蒸鍍AF：把置于電阻發熱坩堝內AF藥丸，通電加熱蒸發，沉積到Si過渡層成AF膜，厚約20--30nm；

10)冷卻至100度以下出爐。