[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010841469.3 | 申請日: | 2020-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN112420707A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金泰炯;鄭臻愚;權(quán)智旭;R.阿茲馬特;千寬永 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11 | 分類號: | H01L27/11;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 | ||
一種半導(dǎo)體器件,其包括:襯底;在襯底的上部上的第一至第三有源圖案,有源圖案在第一方向上順序地布置并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸;分別連接到第一至第三有源圖案的第一至第三電源軌,其中第二有源圖案在第一方向上的寬度是第一有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,并且是第三有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,第一有源圖案不與第一電源軌垂直地重疊,第二有源圖案與第二電源軌垂直地重疊,并且第三有源圖案不與第三電源軌垂直地重疊。
技術(shù)領(lǐng)域
實施方式涉及半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
由于半導(dǎo)體器件的小尺寸、多功能和/或低成本特性,其是電子工業(yè)中的重要元件。半導(dǎo)體器件可以包括用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器件、用于處理數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體邏輯器件以及包括存儲元件和邏輯元件兩者的混合半導(dǎo)體器件。
發(fā)明內(nèi)容
實施方式可以通過提供一種半導(dǎo)體器件來實現(xiàn),該半導(dǎo)體器件包括:襯底;在襯底的上部上的至少一個第一有源圖案、至少一個第二有源圖案和至少一個第三有源圖案,所述至少一個第一有源圖案、所述至少一個第二有源圖案和所述至少一個第三有源圖案在第一方向上順序地布置并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸;連接到所述至少一個第一有源圖案的第一電源軌;連接到所述至少一個第二有源圖案的第二電源軌;以及連接到所述至少一個第三有源圖案的第三電源軌,其中所述至少一個第二有源圖案在第一方向上的寬度是所述至少一個第一有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,并且是所述至少一個第三有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,所述至少一個第一有源圖案不與第一電源軌垂直地重疊,所述至少一個第二有源圖案與第二電源軌垂直地重疊,并且所述至少一個第三有源圖案不與第三電源軌垂直地重疊。
實施方式可以通過提供一種半導(dǎo)體器件來實現(xiàn),該半導(dǎo)體器件包括:襯底;在襯底的上部上并且在第一方向上順序地布置的第一有源圖案、第二有源圖案、第三有源圖案和第四有源圖案;分別在第一有源圖案、第二有源圖案、第三有源圖案和第四有源圖案上的第一源極/漏極圖案、第二源極/漏極圖案、第三源極/漏極圖案和第四源極/漏極圖案;與第一有源圖案、第二有源圖案、第三有源圖案和第四有源圖案交叉并且在第一方向上延伸的柵電極;以及分別連接到第一源極/漏極圖案、第二源極/漏極圖案、第三源極/漏極圖案和第四源極/漏極圖案的第一電源軌、第二電源軌、第三電源軌和第四電源軌,第一電源軌、第二電源軌、第三電源軌和第四電源軌在與第一方向交叉的第二方向上延伸,其中第二有源圖案在第一方向上的寬度是第一有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,第三有源圖案在第一方向上的寬度是第一有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,第二有源圖案在第一方向上的寬度是第四有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,第三有源圖案在第一方向上的寬度是第四有源圖案在第一方向上的寬度的至少兩倍,第一有源圖案不與第一電源軌垂直地重疊,第二有源圖案與第二電源軌垂直地重疊,第三有源圖案與第三電源軌垂直地重疊,并且第四有源圖案不與第四電源軌垂直地重疊。
實施方式可以通過提供一種半導(dǎo)體器件來實現(xiàn),該半導(dǎo)體器件包括:在襯底上并且在第一方向上順序地布置的第一電源軌、第二電源軌和第三電源軌;包括第一有源圖案的第一邏輯單元,第一有源圖案在第一電源軌與第二電源軌之間;以及包括第二有源圖案的第二邏輯單元,第二有源圖案在第二電源軌與第三電源軌之間并且延伸到第三電源軌下面的區(qū)域,其中第二有源圖案在第一方向上的寬度是第一有源圖案在第一方向上的寬度的兩至三倍。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述示例性實施方式,對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說,特征將是明顯的,附圖中:
圖1A示出了根據(jù)一實施方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖1B、圖1C、圖1D和圖1E示出了分別沿圖1A的線A-A'、B-B'、C-C'和D-D'截取的剖視圖。
圖2A和圖3A示出了根據(jù)一實施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法中的階段的俯視圖。
圖2B和圖3B分別示出了沿圖2A和圖3A的線A-A'截取的剖視圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





