[發明專利]多氮化鎵肖特基二極管串并聯結構的大功率微波整流電路在審
| 申請號: | 202010841129.0 | 申請日: | 2020-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN111934566A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | 張進成;黨魁;周弘;張濤;張葦杭;張燕妮;寧靜;郝躍 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H02M7/06 | 分類號: | H02M7/06;H01L29/872;H01L29/20 |
| 代理公司: | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人: | 王品華 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮化 鎵肖特基 二極管 串并聯 結構 大功率 微波 整流 電路 | ||
1.一種多氮化鎵肖特基二極管串并聯結構的大功率微波整流電路,自左向右依次由輸入端口(1)、匹配電路(2)、隔直電容(3)、輸入濾波器(4)、整流器(5)、輸出濾波器(6)以及負載(7)連接組成,其特征在于:
所述整流器(5),采用多個氮化鎵肖特基二極管串并聯結構,且整體封裝在一個二極管管殼內,該整流器的陰極連接在輸入濾波器(4)與輸出濾波器(6)之間,該整流器的陽極接地。
2.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,氮化鎵肖特基二極管自下而上包括SiC襯底、AlN成核層、GaN緩沖層、AlN插入層、AlGaN勢壘層、LPCVD SiN和SiO2雙層鈍化層,該GaN緩沖層至雙層鈍化層中間設有陽極凹槽,凹槽側壁及凹槽邊緣上層設有陽極,陽極邊緣AlGaN勢壘層上設有陰極,陽極半徑為80-160微米,陰陽極間距為3-6微米。
3.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,輸入端口(1)采用SMA母頭同軸連接器。
4.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,匹配電路(2)采用開路枝節匹配結構。
5.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,輸入濾波器(4)采用低通濾波器,用于抑制大于工作頻率的微波信號通過。
6.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,輸出濾波器(6)采用直通濾波器,用于抑制大于等于工作頻率的高頻信號通過。
7.根據權利要求1所述的微波整流電路,其特征在于,匹配電路(2)、輸入濾波器(4)和輸出濾波器(6)印制在高頻電路板材上。
8.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,輸入端口(1)、隔直電容(3)、整流器(5)及負載(7)焊接在高頻電路板上。
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