[發明專利]一種產生單一手性近場的結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010840366.5
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN111929754A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種產生單一手性近場的結構，其特征在于，包括基底和多個手性近場單元，所述多個手性近場單元呈周期排列設置在所述基底上；手性近場單元包括金屬底板、第一金屬側板和第二金屬側板，所述金屬底板設置于所述基底上，所述第一金屬側板和所述第二金屬側板設置于所述金屬底板上，所述第一金屬側板與所述第二金屬側板之間具有間隙。

2.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述第一金屬側板與所述第二金屬側板平行并垂直設置于所述金屬底板上，所述第一金屬側板、所述第二金屬側板與所述間隙組成長方體結構。

3.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述第一金屬側板與所述第二金屬側板的上方均設置有二維材料層。

4.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述第一金屬側板靠近所述金屬底板的一端與所述第二金屬側板靠近所述金屬底板的一端之間的距離小于所述第一金屬側板的另一端與所述第二金屬側板的另一端之間的距離。

5.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述第一金屬側板和所述第二金屬側板與所述金屬底板之間均設置有熱膨脹層。

6.根據權利要求5所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述基底上設置有熱膨脹材料，所述熱膨脹材料設置在各所述近手性場單元之間。

7.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，位于所述第一金屬側板與所述第二金屬側板之間的金屬底板部分上方設置有磁致伸縮材料，所述磁致伸縮材料上方還設置有熒光分子。

8.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述第一金屬側板與所述第二金屬側板之間的距離為2-60nm，所述金屬底板的厚度大于20nm。

9.根據權利要求1所述的產生單一手性近場的結構，其特征在于，所述第一金屬側板與所述第二金屬側板均為貴金屬材料。

10.一種產生單一手性近場的結構的制備方法，其特征在于，制備權利要求1至9任一項權利要求所述的結構，方法包括：

在基底上旋涂光刻膠；

在光刻膠上刻蝕條形孔；

在基底上蒸鍍手性近場單元；具體為：使用電子束蒸發鍍膜儀在基底上垂直蒸鍍金屬底板；傾斜電子束極化角蒸鍍第一金屬側板；保持極化角不變，旋轉方向角蒸鍍第二金屬側板；

去除光刻膠。