[發明專利]電平移位電路

在審

• 申請號: 202010840363.1
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111786666A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 楊洋;陳權
• 申請（專利權）人: 海光信息技術有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 衡滔

本申請提供一種電平移位電路，包括：第一P溝道場效應晶體管，其源極接入第一電壓，漏極與A點連接，其柵極與B點連接；第二P溝道場效應晶體管，其源極接入第一電壓，其漏極與B點連接，其柵極與A點連接；第一N溝道場效應晶體管，其漏極與A點連接，其柵極接入第一控制信號；第二N溝道場效應晶體管，其漏極與B點連接，其柵極接入第二控制信號；電壓輸出單元，其輸入端與B點連接，其輸出端用于根據B點電壓輸出移位后的目標信號；第一開關管，其輸入端接入第一電壓，其輸出端與B點連接，其柵極接入第三控制信號；第一開關管用于在第二N溝道場效應晶體管關斷后導通。本申請通過設置該第一開關管來對該B點電位進行直接拉升，可以提高效率。

技術領域

本申請涉及電壓轉換技術領域，具體涉及一種電平移位電路。

背景技術

電位平移電路是集成電路領域的一種常見電路。電平移位電路用于將輸入的電平移位至更高的電平，也可以用于將輸入的電平移位至更低的電平，從而滿足集成電路內的不同功能模塊對于不同幅度的電平信號的需求。

如圖1所示，在現有技術中的一種電位平移電路中，包括反相器U11、反相器U21、P溝道場效應晶體管P11、P溝道場效應晶體管P12、N溝道場效應晶體管N11以及N溝道場效應晶體管N12。其中，該P溝道場效應晶體管P11的源極接入電壓VDDH，該P溝道場效應晶體管P11的漏極與該N溝道場效應晶體管N11的漏極連接于A0點，該N溝道場效應晶體管N11的源極接地。該P溝道場效應晶體管P21的源極接入電壓VDDH，該P溝道場效應晶體管P21的漏極與該N溝道場效應晶體管N21的漏極連接于B0點，該N溝道場效應晶體管N21的源極接地。該P溝道場效應晶體管P11的柵極與B0點連接，該P溝道場效應晶體管P21與該A0點連接。該反相器U11的輸出端與該N溝道場效應晶體管N11的柵極連接，該反相器U11的輸入端與該N溝道場效應晶體管N21的柵極連接。圖1所示的現有技術存在的缺點是，該P21點要想拉升該B0點的電位需要該A0點講該P溝道場效應晶體管P21打開后才行，耗時較多，導致該電位平移電路的效率較低，速度較慢。

針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種電平移位電路，可以提高電平移位電路的效率。

本申請實施例提供了一種電平移位電路，包括：

第一P溝道場效應晶體管，其源極接入第一電壓，其漏極與A點連接，其柵極與B點連接；

第二P溝道場效應晶體管，其源極接入第一電壓，其漏極與B點連接，其柵極與A點連接；

第一N溝道場效應晶體管，其漏極與A點連接，其柵極接入第一控制信號，其源極連接預設低電壓；

第二N溝道場效應晶體管，其漏極與B點連接，其柵極接入第二控制信號，其源極連接預設低電壓；

電壓輸出單元，其輸入端與B點連接，其輸出端用于根據B點電壓輸出移位后的目標信號；

第一開關管，其輸入端接入第一電壓，其輸出端與B點連接，其柵極接入第三控制信號；所述第一開關管用于在第二N溝道場效應晶體管關斷后導通，以拉升B點的電位。

本申請實施例提供的電平移位電路通過采用設置該第一開關管來在該第一N溝道場效應晶體管關斷后導通，從而直接拉升該B點電位，無需等待該A點電位上升以打開該第二P溝道場效應晶體管才開始對該B點進行電位拉升，可以提升電位拉升所消耗的時間，從而提高該電平移位電路的效率。

可選地，在本申請實施例所述的電平移位電路中，還包括：

第二開關管，其輸入端接入第一電壓，其輸出端與A點連接，其控制端接入第二控制信號，所述第二開關管與第一N溝道場效應晶體管的開關狀態相同。