[發明專利]三維存儲器設備的開口布局

在審

• 申請號: 202010840359.5
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN112201661A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 何佳;黃海輝;劉藩東;楊要華;洪培真;夏志良;霍宗亮;馮耀斌;陳保友;曹清晨
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種形成多個器件開口的方法，包括：

在襯底的第一區域和第二區域上形成材料層，所述第一區域是與所述第二區域相鄰的；

在所述材料層上形成掩模層，所述掩模層覆蓋所述第一區域和所述第二區域；

在所述掩模層上形成圖案化層，所述圖案化層覆蓋所述第一區域和所述第二區域，并且包括在所述第一區域中用來形成溝道通孔的多個開口，其中，所述第一區域中用來形成溝道通孔的所述多個開口包括與所述第一區域和所述第二區域之間的邊界相鄰的第一開口、以及比所述第一開口離所述邊界要遠的第二開口，并且其中，所述第一開口位于與所述邊界相鄰的第一行中，并且所述第二開口至少位于沿著第一方向離所述邊界更遠并且與所述第一行相鄰的第二行中和沿著所述第一方向離所述邊界更遠并且與所述第二行相鄰的第三行中，所述第一開口與所述第二行中的第二開口之間的距離大于所述第二行中的第二開口與所述第三行中的第二開口之間的距離；

使用所述圖案化層來圖案化所述掩模層，以形成被圖案化的掩模層；以及

使用所述被圖案化的掩模層來圖案化所述材料層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，沿著與所述襯底的頂面平行的平面，所述第一開口的尺寸大于所述第二開口的尺寸，并且其中，所述多個開口中的開口的尺寸包括所述開口的面積、長度和寬度中的一項或多項。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一開口沿著第一方向的長度大于所述第一開口沿著第二方向的寬度，所述第一方向與所述襯底的所述頂面平行并且從所述第二區域指向所述第一區域，所述第二方向與所述襯底的所述頂面平行并且與所述第一方向垂直。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第二開口沿著所述第一方向的長度與所述第二開口沿著所述第二方向的寬度相等。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其中，所述第一開口沿著所述第一方向的所述長度比所述第一開口沿著所述第二方向的所述寬度要大2nm至3nm。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一開口沿著所述第二方向的所述寬度比所述第二開口沿著所述第二方向的所述寬度要大1nm至2nm。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一開口沿著所述第二方向的所述寬度比所述第二開口沿著所述第一方向的所述長度要大1nm至2nm。

8.根據權利要求3或4所述的方法，其中，所述多個開口還包括與所述邊界相鄰的一個或多個第一開口、以及比所述第一開口離所述邊界要遠的一個或多個第二開口，并且其中，所述第一開口的尺寸大于所述第二開口的尺寸。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一開口和所述第二開口形成陣列，所述陣列包括沿著所述第一方向的多行和沿著所述第二方向的多列。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第一開口具有相同的尺寸并且具有橢圓形的形狀。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述第二行中的所述第二開口具有相同的尺寸并且具有圓形的形狀。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二開口具有相同的尺寸。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述第一行中的所述第一開口的尺寸以及在所述第二行和所述第三行中的所述第二開口的尺寸沿著所述第一方向減小。

14.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二區域與所述第一區域之間還包括一個或多個邊界，并且開口的尺寸沿著從每個邊界到所述陣列的內部的方向減小。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述陣列的所述內部包括所述陣列的中間點或中心中的一者。