[發(fā)明專(zhuān)利]MEMS傳感器芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010839498.6 | 申請(qǐng)日： | 2020-08-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111711901B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何憲龍;詹竣凱;羅松成;李承勲 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 共達(dá)電聲股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H04R19/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H04R19/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市沈合專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人： | 吳京隆 |
| 地址： | 261000 山*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 傳感器 芯片 | ||
1.一種MEMS傳感器芯片，包括基板、安裝于所述基板上的背極板和膜片，所述膜片固定于所述基板的一側(cè)，所述背極板覆蓋于所述膜片的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述膜片包括感測(cè)部和圍繞在所述感測(cè)部外圍的外圍部，其特征在于，所述外圍部與所述感測(cè)部之間設(shè)有若干開(kāi)槽，所述開(kāi)槽包括若干外槽和若干內(nèi)槽，所述若干外槽排布在所述外圍部的內(nèi)邊緣，所述若干內(nèi)槽排布在所述感測(cè)部的外邊緣，相鄰兩所述外槽之間形成第一連接臂，相鄰兩所述內(nèi)槽之間形成第二連接臂，所述若干外槽與所述若干內(nèi)槽之間形成環(huán)形連接臂，所述環(huán)形連接臂通過(guò)第一連接臂與所述外圍部連接，通過(guò)所述第二連接臂與所述感測(cè)部連接，靠近所述感測(cè)部的所述開(kāi)槽內(nèi)部設(shè)置有隔離部，所述隔離部從所述膜片朝向所述基板方向凸出或者從所述基板朝向所述膜片方向凸出以用于增加振動(dòng)通過(guò)所述開(kāi)槽的阻尼。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，所述隔離部從所述膜片延伸至所述基板的朝向所述膜片的表面或者從所述基板延伸至所述膜片的背離所述基板的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，所述基板具有背室，所述膜片覆蓋所述背室，所述隔離部設(shè)置在感測(cè)部上偏離所述背室對(duì)應(yīng)的所述開(kāi)槽內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，所述隔離部的外邊緣與所述開(kāi)槽的內(nèi)邊緣之間形成均勻間隔。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，所述第一連接臂和第二連接臂至少其中之一設(shè)有加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)，所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)凸出設(shè)置于所述第一連接臂和/或第二連接臂的朝向所述基板的一側(cè)面上以阻隔振動(dòng)穿過(guò)所述內(nèi)槽或外槽。
6.如權(quán)利要求5所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，每一所述內(nèi)槽對(duì)應(yīng)第一連接臂處形成內(nèi)凹段，所述加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)位于相應(yīng)的內(nèi)凹段的內(nèi)側(cè)。
7.權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，每一所述內(nèi)槽具有連續(xù)連接的多個(gè)分段部，且至少有一分段部與其余分段部位于不同圓周上，每一所述隔離部形成多個(gè)對(duì)應(yīng)每一所述分段部的分隔離部，每一所述分隔離部對(duì)應(yīng)設(shè)置于一所述內(nèi)槽的分段部?jī)?nèi)。
8.一種MEMS傳感器芯片，包括基板、安裝于所述基板上的背極板和膜片，所述基板具有背室，所述膜片固定于所述基板的一側(cè)并覆蓋所述背室，所述背極板覆蓋于所述膜片的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)并在所述背極板與膜片之間形成氣隙，所述膜片包括感測(cè)部和圍繞在所述感測(cè)部外圍的外圍部，其特征在于，所述外圍部與所述感測(cè)部之間設(shè)有若干開(kāi)槽，所述感測(cè)部與所述開(kāi)槽之間設(shè)有若干呈閉環(huán)的隔離槽，所述隔離槽內(nèi)的部分朝向所述基板方向延伸形成隔離部，所述隔離部用于阻隔進(jìn)入所述氣隙的振動(dòng)從所述開(kāi)槽進(jìn)入所述背室或者進(jìn)入所述背室的振動(dòng)從所述開(kāi)槽進(jìn)入所述氣隙。
9.如權(quán)利要求8所述的MEMS傳感器芯片，其特征在于，所述若干開(kāi)槽包括若干外槽和若干內(nèi)槽，所述若干內(nèi)槽呈環(huán)形排布在所述感測(cè)部的外緣處，所述隔離槽位于所述內(nèi)槽內(nèi)側(cè)且與所述內(nèi)槽之間形成均勻的間隔。
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