[發明專利]一種MoS2

在審

• 申請號: 202010836947.1
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111905768A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 季小紅;李振宇
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: B01J27/051
• 分類號: B01J27/051;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 江裕強

本發明公開了一種MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料及其制備方法與應用。該方法包括：將MoO₃粉末進行加熱處理，得到MoO₃晶體；將MoO₃晶體放進行第一加熱處理，同時將S粉末進行第二加熱處理，得到MoS₂/MoO₃復合材料；將TiO₂粉末和MoS₂/MoO₃復合材料加入水中，攪拌均勻，得到混合溶液；將步混合溶液進行干燥處理，得到粉末，即所述MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料。本發明利用簡單的化學氣相沉積法制備的MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料，在可見光下20min降解了90％以上的羅丹明B溶液。本發明工藝簡單，綠色環保，性能優益，無毒無害，可循環利用，可批量生產。

技術領域

本發明屬于半導體納米材料制備技術領域，具體涉及一種MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料及其制備方法與應用。

背景技術

經濟的發展加劇了環境污染，尤其是水污染，雖然70％的地球被水覆蓋，但由于開發或技術水平的困難，海水、深層地下水、冰雪固體淡水仍然很難使用，僅占2.53％。由于地球上的淡水資源并不豐富，因此有必要尋找一種能有效解決水污染問題的方法。傳統的光催化材料如TiO₂從發現至今一直備受研究者的關注，并取得了長足的發展，但其較窄的光譜響應范圍使其只能吸收紫外光的能量，光生電子和空穴的高復合率導致光催化效率降低，這嚴重的限制了其在實踐中的應用。對TiO₂改性可有效地降低帶隙，提高其光催性能。

MoS₂是一種比表面積大、吸收能力強的層狀過渡金屬硫化物。MoS₂的帶隙在1.29eV-1.8eV之間，在MoS₂納米結構的邊緣有大量的不飽和鍵。因此，單位面積上的末端基團數目可以顯著增加，從而導致MoS₂活性位點的增加。Zhao等制備MoS₂QDs@TNT可見光催化劑以阻止光激發電子-空穴對的復合(Nanotechnology,2018,29(10):105403--105413)；Zhou等人報道了一種3D TiO2@MoS₂的層狀結構，并在光催化降解染料分子方面表現出了良好的性能(Small,2013,9(1):140-147)；Chen等設計和制備的MoS₂/TiO₂納米材料在降解、CO₂還原、析氫、LIBs和SIBs方面的性能得到改善(Nanoscale,2017,10(4):34-68)。

但在以往的工作中，制作的方法往往過于復雜和耗時，且硫化鉬光催化性能也有限，材料的制備和循環利用率仍存在許多問題。

發明內容

為了克服現有技術存在的上述不足，本發明的目的是提供一種MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料及其制備方法與應用。

本發明的目的在于提供MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料的制備方法。

本發明的另一目的在于提供上述方法制備的MoS₂/MoO₃/TiO₂復合光催化材料的應用。

本發明的目的至少通過如下技術方案之一實現。