[發明專利]場效應管及其制備方法

有效

• 申請號: 202010836655.8
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111952360B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發明（設計）人: 陳建國;羅劍生
• 申請（專利權）人: 深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 潘艷麗

1.一種場效應管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

制備外延層，所述外延層包括襯底和在所述襯底上依次層疊設置的溝道層、勢壘層和鈍化層，在所述鈍化層上制備柵介質層，及在所述柵介質層兩側分別制備源極和漏極；

所述柵介質層的制備包括如下制備步驟：沉積柵介質材料，所述柵介質材料是二氧化硅，對所述柵介質材料進行離子注入，離子注入所用離子源的元素選用氬元素，離子注入的能量為40keV~150keV，在所述柵介質材料表面形成掩膜，濕法刻蝕所述柵介質材料形成使部分所述鈍化層暴露的窗口，所述窗口靠近所述漏極的側壁形成擊穿電壓增強結構，在所述擊穿電壓增強結構中，沿遠離所述鈍化層的方向，所述側壁與所述漏極間的距離逐漸減小；

重復多次所述制備步驟，且后一次制備步驟中的掩膜還覆蓋前一次制備過程中的掩膜未覆蓋的部分區域，以形成具有多個變化段的柵介質層，在所述變化段中，沿遠離所述鈍化層的方向，所述側壁與所述漏極間的距離連續減小。

2.根據權利要求1所述的場效應管的制備方法，其特征在于，離子注入的劑量為10¹²~10¹⁵個/cm²。

3.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所用刻蝕劑是包含氫氟酸的刻蝕劑。

4.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，沉積所述柵介質層的方式選自低壓化學氣相沉積或金屬有機化合物氣相沉積。

5.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，所述柵介質層的厚度為1000?~5000?。

6.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，所述變化段的底端與頂端的連線和鈍化層的表面之間的夾角≤60°。

7.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，在所述變化段中，側壁與漏極間的距離線性減小。

8.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，所述鈍化層的材料是氮化硅。

9.根據權利要求1~2任一項所述的場效應管的制備方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度為200?~800?。

10.一種根據權利要求1~9任一項所述的場效應管的制備方法制備所得的場效應管在制備集成電路中的應用。