[發明專利]一種新型陣列基板膜層結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010836418.1
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111969014A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 陳宇懷
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 張明

1.一種新型陣列基板膜層結構，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一側面的正常區上依次層疊設有第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第一有源層、第一源漏極金屬層、第一鈍化層、第一平坦層、第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層；

所述第一柵極絕緣層上開設有第一過孔，所述第一過孔中填充有第一源漏極金屬層，所述第一源漏極金屬層分別與第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第一有源層和第一鈍化層接觸，所述第一源漏極金屬層上開設有第二過孔，所述第二過孔中填充有第一鈍化層，所述第一鈍化層分別與第一有源層和第一源漏極金屬層接觸，所述第一鈍化層上開設有第三過孔，所述第一平坦層上開設有第四過孔，所述第四過孔與第三過孔相對設置且相通，所述第三過孔和第四過孔中均填充有第一陽極層，所述第三過孔中的第一陽極層分別與第一源漏極金屬層和第一鈍化層接觸，所述第四過孔中的第一陽極層分別與第一平坦層和第一畫素定義層接觸，所述第一畫素定義層上開設有第五過孔，所述第五過孔中填充有第一有機發光層，所述第一有機發光層分別與第一陽極層、第一畫素定義層和第一陰極層接觸；

所述第一柵極金屬層、第一源漏極金屬層和第一陽極層均為夾層結構。

2.根據權利要求1所述的新型陣列基板膜層結構，其特征在于，所述夾層結構包括第一透明層和第一金屬層，所述第一透明層與第一金屬層層疊設置。

3.根據權利要求2所述的新型陣列基板膜層結構，其特征在于，所述第一透明層的材質為氧化銦錫。

4.根據權利要求1所述的新型陣列基板膜層結構，其特征在于，所述夾層結構包括第二透明層、第三透明層和第二金屬層，所述第二金屬層位于第二透明層和第三透明層之間且分別與第二透明層和第三透明層接觸。

5.根據權利要求1所述的新型陣列基板膜層結構，其特征在于，所述第二過孔對應第一有源層的位置設置。

6.根據權利要求1所述的新型陣列基板膜層結構，其特征在于，所述第一源漏極金屬層上還開設有第六過孔，所述第六過孔中填充有第一鈍化層，所述第六過孔中填充的第一鈍化層分別與第一柵極絕緣層、第一柵極金屬層和第一平坦層接觸。

7.一種權利要求1所述的新型陣列基板膜層結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一側面的正常區上覆蓋有第一柵極金屬層；

S2、形成第一柵極絕緣層，且覆蓋于所述第一柵極金屬層表面，在所述第一柵極金屬層中形成第一過孔；

S3、形成第一有源層，且覆蓋于所述第一柵極金屬層表面；

S4、形成第一源漏極金屬層，所述第一源漏極金屬層分別覆蓋于第一有源層和第一柵極絕緣層表面且第一過孔中填充有第一柵極金屬層；在第一源漏極金屬層中形成第二過孔；

S5、形成第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋于第一源漏極金屬層表面且第二過孔中填充有第一鈍化層；在第一鈍化層中形成第三過孔；

S6、形成第一平坦層，且覆蓋于所述第一鈍化層表面，在第一平坦層中形成第四過孔；

S7、形成第一陽極層，所述第一陽極層覆蓋于第一平坦層表面且第三過孔和第四過孔中填充有第一陽極層；

S8、形成第一畫素定義層，且分別覆蓋于所述第一鈍化層和第一陽極層表面，在第一畫素定義層中形成第五過孔；

S9、在所述第五過孔中形成第一有機發光層；

S10、形成第一陰極層，且覆蓋于所述第一畫素定義層表面。

8.根據權利要求7所述的新型陣列基板膜層結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中在第一源漏極金屬層中形成第二過孔的同時也形成第六過孔，所述第六過孔中填充有第一鈍化層。

9.根據權利要求7所述的新型陣列基板膜層結構的制備方法，其特征在于，所述夾層結構包括第一透明層和第一金屬層，所述第一透明層與第一金屬層層疊設置。

10.根據權利要求7所述的新型陣列基板膜層結構的制備方法，其特征在于，所述夾層結構包括第二透明層、第三透明層和第二金屬層，所述第二金屬層位于第二透明層和第三透明層之間且分別與第二透明層和第三透明層接觸。