[發(fā)明專利]顯示裝置和制造顯示裝置的方法

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• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN112447856A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設計）人: 韓在范;樸英吉;樸精花;安娜利;鄭洙任
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/32;H01L21/334
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 潘懷仁;孔麗君

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在所述基板上并且包括無機絕緣材料；

氧化物半導體層，所述氧化物半導體層設置在所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述氧化物半導體層上并且包括無機絕緣材料；

柵電極，所述柵電極設置在所述第二絕緣層上；以及

第三絕緣層，所述第三絕緣層設置在所述柵電極上并且包括無機絕緣材料，

其中所述氧化物半導體層包括第一導電區(qū)、第二導電區(qū)以及位于所述第一導電區(qū)和所述第二導電區(qū)之間的溝道區(qū)，并且

所述氧化物半導體層的氫濃度在5×10²⁰個原子/cm³至2×10²¹個原子/cm³的范圍內，并且根據方程式(1)，所述氧化物半導體層的所述溝道區(qū)中的HC的值小于30％：

HC＝(Max-Min)/Avg×100％------方程式(1)，

其中Max表示從所述溝道區(qū)內的多個點檢測的最大氫濃度值，Min表示從所述溝道區(qū)內的多個點檢測的最小氫濃度值，并且Avg表示從所述溝道區(qū)內的多個點檢測的平均氫濃度值。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述溝道區(qū)的氫濃度在1×10²¹個原子/cm³至2×10²¹個原子/cm³的范圍內。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層包括氧化硅層。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一絕緣層和所述第三絕緣層中的至少一個包括氧化硅層或氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：介于所述基板和所述第一絕緣層之間的金屬層。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述氧化物半導體層包含氟，并且

所述氧化物半導體層的所述氟的濃度在5×10¹⁷個原子/cm³至5×10¹⁸個原子/cm³的范圍內。

7.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中所述金屬層包括底柵電極。

8.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板；

第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管各自設置在所述基板上，

其中所述第一晶體管和所述第二晶體管中的一個包括：

氧化物半導體層，所述氧化物半導體層包括溝道區(qū)、第一導電區(qū)和第二導電區(qū)，其中所述第一導電區(qū)和所述第二導電區(qū)分別位于所述溝道區(qū)的兩個相對側上；

第一絕緣層，所述第一絕緣層介于所述基板和所述氧化物半導體層之間；

柵電極，所述柵電極與所述氧化物半導體層的所述溝道區(qū)重疊；

第二絕緣層，所述第二絕緣層介于所述氧化物半導體層和所述柵電極之間；以及

第三絕緣層，所述第三絕緣層設置在所述第二絕緣層上并且覆蓋所述柵電極，

其中所述氧化物半導體層的氫濃度在5×10²⁰個原子/cm³至2×10²¹個原子/cm³的范圍內，并且根據方程式(1)，所述氧化物半導體層的所述溝道區(qū)中的HC的值小于30％：

HC＝(Max-Min)/Avg×100％------方程式(1)，

其中Max表示從所述溝道區(qū)內的多個點檢測的最大氫濃度值，Min表示從所述溝道區(qū)內的多個點檢測的最小氫濃度值，并且Avg表示從所述溝道區(qū)內的多個點檢測的平均氫濃度值。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中所述溝道區(qū)的氫濃度在1×10²¹個原子/cm³至2×10²¹個原子/cm³的范圍內。