[發明專利]一種In2O3基氣敏材料的制備方法、制得的氣敏材料及其應用

有效

• 申請號: 202010834696.3
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN112014438B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 吳秋菊
• 申請（專利權）人: 微納感知（合肥）技術有限公司
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 葉濛濛

1.一種In₂O₃基氣敏材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)將InCl₃溶于醋酸中，所述InCl₃的濃度為0.1-0.5mol/L；

(2)將檸檬酸溶于乙醇、乙二醇、水和丙三醇的混合溶液中，攪拌后獲得檸檬酸溶液，然后將檸檬酸溶液加入步驟(1)的InCl₃醋酸溶液中，攪拌，制得In₂O₃基前驅溶液，即為In₂O₃基氣敏材料，其中檸檬酸的濃度為0.5-1mol/L，所述丙三醇與檸檬酸溶液的體積比為10-30％。

2.根據權利要求1所述的In₂O₃基氣敏材料的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，將InCl₃溶于醋酸中，然后與金屬化合物溶液混合，其中In與金屬化合物溶液中金屬元素的摩爾比為100:0.5-2。

3.根據權利要求2所述的In₂O₃基氣敏材料的制備方法，其特征在于：所述金屬化合物溶液中的金屬元素包括Pd、Pt、Au、Ag、Cu、Co和Cr中的一種或多種。

4.根據權利要求3所述的In₂O₃基氣敏材料的制備方法，其特征在于：所述金屬化合物溶液中的貴金屬化合物包括PdCl₂、H₂PtCl₆·6H₂O、HAuCl₄·4H₂O、AgNO₃、CuCl₂、Cu(NO₃)₂、CoCl₂、Co(NO₃)₂·6H₂O、CrCl₃·6H₂O、Cr(NO₃)₃中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的In₂O₃基氣敏材料的制備方法，其特征在于：所述乙醇、乙二醇、水、丙三醇體積比為1：0.5-3：0.5-5：0.5-1.5。

6.一種采用權利要求1-5中任一項所述的制備方法制得的In₂O₃基氣敏材料。

7.一種MEMS敏感芯片，其特征在于，將權利要求1-5中任一項所述的制備方法制得的In₂O₃基氣敏材料涂覆到MEMS微熱板的敏感電極上，進行熱退火處理后，即得到所述MEMS敏感芯片。

8.一種MEMS氣體傳感器，其特征在于，將權利要求7所述的MEMS敏感芯片進行封裝后，即得到所述MEMS氣體傳感器。