[發明專利]一種用于電致變色的裝飾膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202010834516.1
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111856829A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 劉世琴;于佩強;胡業新;陸明明
• 申請（專利權）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/15
• 分類號: G02F1/15;G02F1/153
• 代理公司: 蘇州科仁專利代理事務所(特殊普通合伙) 32301
• 代理人: 郭楊

1.一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：包括將上薄膜層（11）作為襯底基材的上鍍膜層、電致變色層（2）、將下薄膜層（31）作為襯底基材的下鍍膜層，所述上鍍膜層，所述下鍍膜層分別貼合覆蓋在所述電致變色層（2）兩側面形成一體。

2.根據權利要求1所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述上鍍膜層還包括通過涂布工藝涂設在所述上薄膜層（11）上面的HC加硬層（12）、通過涂布工藝涂設在所述上薄膜層（11）的下面的上IM消影層（13）、通過磁控濺射工藝鍍設在所述上IM消影層（13）下面的上二氧化硅層（14）、通過磁控濺射工藝鍍設在所述上二氧化硅層（14）下面的上氧化銦錫層（15）、或者通過磁控濺射工藝鍍設在所述上二氧化硅層（14）下面的上AZO層（15）、或者通過磁控濺射工藝鍍設在所述上二氧化硅層（14）下面的上MTO層（15），所述上氧化銦錫層（15）、所述上AZO層（15）或者所述上MTO層（15）貼設于所述電致變色層（2）的上面，其中，所述上氧化銦錫層（15）中氧化銦含量為90-97%，氧化錫含量為3-10%；所述上AZO層（15）中氧化鋁含量為1-10%，氧化鋅含量為90-99%，所述上MTO層（15）中氧化錳含量為2-10%，氧化銦含量為90-98%。

3.根據權利要求2所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述上IM消影層（13）的厚度為600-900nm, 折射率在1.47～1.7，所述HC加硬層（12）的厚度為1-5um, 折射率在1.47～1.65，所述上二氧化硅層（14）和所述上氧化銦錫層（15）或者所述上AZO層（15）或者所述上MTO層（15）的總厚度為10-20nm。

4.根據權利要求1所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述下鍍膜層還包括通過涂布工藝涂設在所述下薄膜層（31）上面的下IM消影層（32），通過磁控濺射工藝鍍設在所述下IM消影層（32）上面的下二氧化硅層（33），通過磁控濺射工藝鍍設在所述下二氧化硅層（33）上面的下氧化銦錫層（34）、或者通過磁控濺射工藝鍍設在所述下二氧化硅層（33）上面的下AZO層（34）、或者通過磁控濺射工藝鍍設在所述下二氧化硅層（33）上面的下MTO層（34），所述下氧化銦錫層（34）、所述下AZO層（34）或者所述下MTO層（34）貼設于所述電致變色層（2）的下面，其中，所述下氧化銦錫層（34）中氧化銦含量為90-97%，氧化錫含量為3-10%；所述下AZO層（34）中氧化鋁含量為1-10%，氧化鋅含量為90-99%，所述下MTO層（34）中氧化錳含量為2-10%，氧化銦含量為90-98%。

5.根據權利要求4所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述下薄膜層（31）的下面具有UV壓印層。

6.根據權利要求4所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述下IM消影層（32）的厚度為600-900nm,所述下二氧化硅層（33）和所述下氧化銦錫層（34）或者所述下AZO層（34）或者所述下MTO層（34）的總厚度為10-20nm。

7.根據權利要求1所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述上薄膜層（11）的材質為PET、PC、COP或者PI，所述下薄膜層（31）的材質為PET、PC、COP或者PI。

8.根據權利要求1所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述電致變色層（2）為離子導電層、電子絕緣的解質層或者導電聚合物層。

9.根據權利要求1所述的一種用于電致變色的裝飾膜，其特征在于：所述電致變色層（2）為聚苯胺層、聚吡咯層、聚噻吩層、1,1′-雙取代基-4,4′-聯吡啶層、二酞菁合镥層、聚(3,4-乙撐氧噻吩)層、聚[3,4-(2,2′- 二甲基丙烯二氧基）噻吩]層、聚噻吩層、二酞菁合镥層、錳酞菁層中的一種。

10.一種制備權利要求1-9所述一種用于電致變色的裝飾膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：準備三種材料：上鍍膜層，電致變色層（2），下鍍膜層；

步驟二：上鍍膜層貼覆在電致變色層的上面；

步驟三：下鍍膜層貼覆在電致變色層的下面，制作完成。