[發明專利]用于MMIC HEMT放大器的補償器器件

在審

• 申請號: 202010832291.6
• 申請日: 2016-07-28
• 公開（公告）號: CN112087205A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 盧卡·皮亞宗
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于偏置單片微波集成電路MMIC高電子遷移率晶體管HEMT放大器(602)的柵極的補償器器件(100)，其特征在于，所述補償器器件(100)包括：

兩個電阻器(R1、R2)；

與所述兩個電阻器(R1、R2)串聯連接并且位于所述兩個電阻器(R1、R2)之間的至少兩個HEMT(Q1、Q2)，其中：

選擇所述電阻器(R1、R2)和所述HEMT(Q1、Q2)，使得在補償器器件(100)的操作中，至少一個第一HEMT(Q1)的偏置點在飽和區中，至少一個第二HEMT(Q2)的偏置點在歐姆區中。

2.根據權利要求1所述的補償器器件(100)，其特征在于：

所述至少兩個HEMT(Q1、Q2)的閾值電壓和/或跨導分別和HEMT放大器的閾值電壓和/或跨導對溫度和/或工藝變化的靈敏度相同。

3.根據權利要求1或2所述的補償器器件(100)，其特征在于：

所述兩個電阻器(R1、R2)中的至少一個電阻器為薄膜電阻器(TFR-1、TFR-2)。

4.根據權利要求1至3任一項所述的補償器器件(100)，其特征在于：

所述兩個電阻器(R1、R2)中的至少一個電阻器為臺面電阻器(MESA-1、MESA-2)。

5.根據權利要求1至4任一項所述的補償器器件(100)，其特征在于：

所述至少兩個HEMT(Q1、Q2)為GaAs HEMT(HEMT-1、HEMT-2)。

6.根據權利要求1至5任一項所述的補償器器件(100)，其特征在于，還包括：

與每個HEMT(Q1、Q2)的柵極連接的輸入端口(VS)，其優選地為焊盤(302)，其中，所述輸入端口(VS)還與外部柵極電源連接。

7.根據權利要求1至6任一項所述的補償器器件(100)，其特征在于，還包括：

與第一電阻器(R1)連接的接地通孔(301)。

8.根據權利要求1至6任一項所述的補償器器件，其特征在于，還包括：

與第一電阻器(R1)連接的焊盤(401)。

9.根據權利要求7或8所述的補償器器件(100)，其特征在于，還包括：

連接在所述第一電阻器(R1)和所述至少兩個HEMT(Q1、Q2)之間的輸出端口(VG)。

10.一種單片微波集成電路MMIC放大器器件(600)，其特征在于，包括高電子遷移率晶體管HEMT放大器(602)和權利要求1至9中任一項所述的用于偏置HEMT放大器(602)的柵極的補償器器件(100)。

11.根據權利要求10所述的MMIC放大器器件(600)，其特征在于，所述補償器器件(100)的輸入端口(VS)與柵極電源連接，所述補償器器件(100)的輸出端口(VG)與所述HEMT放大器(602)的柵極連接。

12.一種通信設備，其特征在于，包括至少一個權10和權11任一項所述的MMIC放大器器件(600)。

13.一種用于補償提供給具有補償器器件(100)的單片微波集成電路MMIC高電子遷移率晶體管HEMT放大器(602)的柵極電壓的方法，其特征在于：

所述補償器器件(100)包括兩個電阻器(R1、R2)以及與所述兩個電阻器(R1、R2)串聯連接并且位于所述兩個電阻器(R1、R2)之間的至少兩個HEMT(Q1、Q2)；

所述方法包括：將至少一個第一HEMT(Q1)的偏置點設置在飽和區中，以及將至少一個第二HEMT(Q2)的偏置點設置在歐姆區中。