[發明專利]版圖的特征圖形的識別方法在審

申請號：	202010832188.1	申請日：	2020-08-18
公開（公告）號：	CN111948900A	公開（公告）日：	2020-11-17
發明（設計）人：	齊雪蕊;孟鴻林;胡青;張辰明;魏芳;朱駿	申請（專利權）人：	上海華力微電子有限公司
主分類號：	G03F1/36	分類號：	G03F1/36
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	曹廷廷
地址：	201315***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	版圖特征圖形識別方法
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【說明書】：

本發明提供了一種版圖的特征圖形的識別方法，用于識別OPC處理的特征圖形，包括：查看所述版圖上的OPC預警位置；劃分以OPC預警位置為中心的一定范圍為限定范圍；提取落入限定范圍的特征圖形。可以提高挑選特征圖形的效率，并且能更好地挑選出想要的特征圖形。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種版圖的特征圖形的識別方法。

背景技術

在光刻工藝中，由于光學臨近效應(Optical Proximity Effect)，設計圖形經過曝光之后在晶圓上的實際圖形會和原始設計略有差異，所以引入光學修正技術(OpticalProximity Correct，OPC)來彌補由光學系統的有限分辨率造成的誤差。隨著芯片的技術節點進入幾十納米，OPC技術得到大量廣泛的使用，同時版圖設計的復雜度以及線寬的逐漸變小，使得光學修正的程式也越來越復雜。

金屬層版圖的邏輯區域內的特征圖形密集且形狀復雜多變，當因工藝需要需對邏輯區域的特征圖形進行特殊處理時，面臨挑選特征圖形的效率太低，且無法有效定義某類特征圖形的特征導致無法較好的實現工藝需要。

發明內容

本發明的目的在于提供一種版圖的特征圖形的識別方法，可以提高挑選特征圖形的效率，并且能更好地挑選出想要的特征圖形。

為了達到上述目的，本發明提供了一種版圖的特征圖形的識別方法，用于識別OPC處理的特征圖形，包括：

查看所述版圖上的OPC預警位置；

將以OPC預警位置為中心的一定范圍劃分為限定范圍；

提取落入限定范圍的特征圖形。

可選的，在所述的版圖的特征圖形的識別方法中，所述限定范圍的尺寸為4倍設計規則。

可選的，在所述的版圖的特征圖形的識別方法中，所述限定范圍包含小于或等于三個特征圖形。

可選的，在所述的版圖的特征圖形的識別方法中，所述特征圖形的種類為多個，每種類的特征圖形的形狀不一致。

可選的，在所述的版圖的特征圖形的識別方法中，所述特征圖形的種類為四個，分別是T形特征圖形、I形特征圖形、L形特征圖形和凹形特征圖形。

可選的，在所述的版圖的特征圖形的識別方法中，所述T形特征圖形的最長的一個邊的長度大于兩倍設計規則。