[發明專利]一種絲桿推進式剪切單元法測量金屬熔體擴散的擴散樣品制備方法在審
| 申請號: | 202010832180.5 | 申請日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN111964992A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 張博;王文智;呂晴;李建;李萬寶 | 申請(專利權)人: | 合肥工業大學 |
| 主分類號: | G01N1/28 | 分類號: | G01N1/28;G01N13/00 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101 | 代理人: | 盧敏;孫琴 |
| 地址: | 230009 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 推進 剪切 單元 測量 金屬 擴散 樣品 制備 方法 | ||
1.一種絲桿推進式剪切單元法測量金屬熔體擴散的擴散樣品制備方法,其特征在于:設置一種絲桿推進式剪切單元法測量金屬熔體擴散的設備:包括一真空腔體(1),所述真空腔體(1)內設置一框架(5),所述框架(5)內安裝有擴散臺(6),所述擴散臺(6)上設置有對擴散臺(6)進行加熱的加熱器;
所述擴散臺(6)包括基座(10),所述基座(10)內設左右貫通的空腔,所述空腔內設置有擴散組件(14),所述擴散組件(14)由沿左右方向延伸的多個長條狀陶瓷片層層疊壓而成,所述擴散組件(14)的多個陶瓷片包括一組固定設置的固定陶瓷片(16)、一組能向右移動的活動陶瓷片(17)、以及一組能左右移動的熔接陶瓷片(18);所述熔接陶瓷片組包括多片熔接陶瓷片(18),所述熔接陶瓷片組處于擴散組件(14)的中部,與熔接陶瓷片組上、下相鄰的陶瓷片分別為第一固定陶瓷片(19)和第二固定陶瓷片(20),且在熔接陶瓷片組的上方和下方,各個固定陶瓷片(16)和各個活動陶瓷片(17)一一間隔的設置;
在各個固定陶瓷片(16)、各個活動陶瓷片(17)上分別開有第一豎向通孔(21),在各個熔接陶瓷片(18)上開有第二豎向通孔(22),在熔接陶瓷片組的頂部開有第三豎向孔(23),在熔接陶瓷片組的底部開有第四豎向孔(24),第三豎向孔(23)與第四豎向孔(24)相互之間不貫通;第一固定陶瓷片(19)上在位于第一豎向通孔(21)右側還開有第五豎向孔(25),第二固定陶瓷片(20)上在位于第一豎向通孔(21)右側還開有第六豎向孔(26);
通過移動熔接陶瓷片組以及活動陶瓷片組,從而獲得如下三個不同的狀態位:
預熱狀態位:
熔接陶瓷片組右端向右突出,此時各個熔接陶瓷片(18)上的第二豎向通孔(22)、第一固定陶瓷片(19)上的第五豎向孔(25)、第二固定陶瓷片(20)上的第六豎向孔(26)在同一豎直位置上對齊貫通形成熔接樣品腔(27);各個固定陶瓷片(16)的第一豎向通孔(21)、各個活動陶瓷片(17)的第一豎向通孔(21)、熔接陶瓷片組的第三豎向孔(23)、熔接陶瓷片組的第四豎向孔(24)在同一豎直位置上對齊,且以熔接陶瓷片組阻隔分別形成上下同軸的上部樣品腔(28)和下部樣品腔(29);
熔接狀態位:
各個固定陶瓷片(16)、各個活動陶瓷片(17)保持在預熱狀態位上,熔接陶瓷片組向左移動直至熔接陶瓷片組左端向左突出,此時熔接陶瓷片組以各個熔接陶瓷片(18)上的第二豎向通孔(22)將上部樣品腔(28)和下部樣品腔(29)貫通形成熔接狀態;
冷卻狀態位:
各個固定陶瓷片(16)保持在熔接狀態位上,各個活動陶瓷片(17)向右移動、各個熔接陶瓷片(18)向右移動,直至各個活動陶瓷片(17)上的第一豎向通孔(21)與各個固定陶瓷片(16)上的第一豎向通孔(21)相錯位,各個熔接陶瓷片(18)上的第二豎向通孔(22)相錯位,使得上部樣品腔(28)、下部樣品腔(29)、熔接樣品腔(27)在豎向分割為相互獨立的各柱腔(30);
利用所述設備制備擴散樣品的方法,包括如下步驟:
步驟1、將需測定擴散系數的合金熔體的具體成分設定為中間成分,確定所需制備的擴散樣品的兩端成分;再根據兩端成分的分子式,按照各元素的原子比進行配料,并放入電弧熔煉爐中進行熔煉,獲得分別具有兩端成分的相應鑄錠;
步驟2、在所制得的兩鑄錠中:將具有較小密度的鑄錠制成與上部樣品腔(28)相匹配的形狀,記為上部樣品;將具有較大密度的鑄錠分別制成與下部樣品腔(29)、熔接樣品腔(27)相匹配的樣品,記為下部樣品、熔接樣品;
步驟3、將上部樣品、下部樣品和熔接樣品按照擴散組件(14)的預熱狀態位分別安裝在上部樣品腔(28)、下部樣品腔(29)和熔接樣品腔(27)中;然后將擴散組件(14)安裝在基座(10)內,形成擴散臺(6);之后將擴散臺(6)安裝于真空腔體(1)的框架(5)中;調節好擴散臺(6)的位置后,對真空腔體(1)進行抽真空;達到一定真空度后,按設定的工藝條件對擴散臺(6)進行加熱,使得上部樣品、下部樣品和熔接樣品均呈熔融狀態;
步驟4、向左推動熔接陶瓷片組,使得擴散組件(14)處于熔接狀態位;由熔接陶瓷片(18)的第二豎向通孔(22)中的樣品將上部樣品腔(28)與下部樣品腔(29)中的樣品熔接,上部樣品與下部樣品在豎向對接形成擴散偶;按設定的工藝條件對擴散臺(6)進行保溫,使得上部樣品與下部樣品完成擴散;
步驟5、待擴散過程結束后,推動活動陶瓷片(17)和熔接陶瓷片(18)向右移動,確保擴散組件(14)處于冷卻狀態位;此時擴散偶在豎向上被分割成相互間隔的一系列樣品片段;待擴散樣品隨爐冷卻至室溫后,取出擴散臺(6),即獲得一系列擴散樣品。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥工業大學,未經合肥工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010832180.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





