[發明專利]隔離結構的形成方法在審
| 申請號： | 202010831152.1 | 申請日： | 2020-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN111900124A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 梁金娥;許雋;宋振偉 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隔離 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種隔離結構的形成方法，其特征在于，包括：
在緩沖層上形成硬掩模層，所述緩沖層形成于晶圓上；
通過光刻工藝對目標區域進行刻蝕，去除所述目標區域的緩沖層和硬掩模層形成溝槽，所述目標區域是所述晶圓上所述隔離結構對應的區域；
通過第一沉積工藝在所述溝槽中填充第一氧化層；
通過第二沉積工藝在所述第一氧化層上形成第二氧化層，所述第二沉積工藝是除HDP工藝以外的其它工藝；
通過CMP工藝去除所述緩沖層、所述硬掩模層和所述硬掩模層上的氧化層，所述溝槽中的氧化層形成所述隔離結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沉積工藝為HDP工藝。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二沉積工藝為HARP工藝。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二沉積工藝為TEOS工藝。
5.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述通過第二沉積工藝在所述第一氧化層和所述硬掩模層上形成第二氧化層后，所述硬掩模層上的氧化層的厚度為，所述硬掩模層上的氧化層包括第二氧化層，或第一氧化層和第二氧化層。
6.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述緩沖層包括氧化物層。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層包括氮化物層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
