[發明專利]一種納米開關器件及其制備方法在審
| 申請號： | 202010830470.6 | 申請日： | 2020-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN111816704A | 公開（公告）日： | 2020-10-23 |
| 發明（設計）人： | 左朋;汪洋;賈曉云;楊浩軍;王曉暉;丁國建;張宇超;馮琦;王海玲;賈海強;陳弘 | 申請（專利權）人： | 松山湖材料實驗室 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 呂露 |
| 地址： | 523000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 開關 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種納米開關器件，其特征在于，所述納米開關器件包括依次層疊布置的襯底、緩沖層和溝道層，所述溝道層表面具有V型槽，所述溝道層表面且位于所述V型槽兩側分別設置有勢壘層，所述勢壘層表面分別設置有源極和漏級，所述V型槽表面設置有鈍化層，所述鈍化層表面設置有柵極；
所述溝道層的材質為GaN基材料。
2.根據權利要求1所述的納米開關器件，其特征在于，所述V型槽的形狀包括倒置的六角錐形，所述源極和所述漏級分別以所述V型槽的軸線對稱分布。
3.根據權利要求1或2所述的納米開關器件，其特征在于，所述V型槽的最大內徑為100～500nm。
4.根據權利要求1或2所述的納米開關器件，其特征在于，所述緩沖層的材質包括AlaGabIn1-a-bN，其中0≤a≤1，0≤b≤1，且a+b≤1；
可選地，所述緩沖層的厚度為10～100nm。
5.根據權利要求1或2所述的納米開關器件，其特征在于，所述溝道層的材質包括InxGa1-xN，其中0≤x1；
可選地，所述溝道層的厚度為300～5000nm。
6.根據權利要求1或2所述的納米開關器件，其特征在于，所述勢壘層的材質包括AlyGa1-yN，其中0y1；
可選地，所述勢壘層的厚度為1～100nm。
7.根據權利要求1或2所述的納米開關器件，其特征在于，所述鈍化層的材質包括SiO2或SiNx；
可選地，所述鈍化層的厚度為10～300nm。
8.一種納米開關器件的制備方法，其特征在于，所述納米開關器件的制備方法包括在襯底表面形成緩沖層，在所述緩沖層的表面外延生長形成表面具有V型槽的溝道層，在所述溝道層的表面且位于V型槽兩側形成兩個勢壘層，在兩個所述勢壘層表面分別形成源極和漏級，在所述V型槽內形成鈍化層，在所述鈍化層表面形成柵極；
所述溝道層的材質為GaN基材料。
9.根據權利要求8所述的納米開關器件的制備方法，其特征在于，在所述溝道層的表面且位于V型槽兩側形成兩個勢壘層的方法包括：
在所述溝道層除所述V型槽以外的表面形成勢壘層，在所述勢壘層的表面且位于所述V型槽及所述V型槽兩側沉積形成掩模層，刻蝕去除所述掩模層區域以外的勢壘層，除去余下勢壘層表面的所述掩模層使兩個勢壘層露出。
10.根據權利要求8所述的納米開關器件的制備方法，其特征在于，在所述V型槽形成的所述鈍化層分別延伸至所述源極和所述柵極。
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