[發(fā)明專利]光纖及光纖制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010830293.1 | 申請日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN111929764A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 油光磊;曹珊珊;朱錢生;徐海濤;蘇海燕;劉志忠;薛馳;薛濟萍 | 申請(專利權)人: | 中天科技光纖有限公司;江蘇中天科技股份有限公司;江東科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/036 | 分類號: | G02B6/036;C03C25/50;C03B37/027;C03B37/018 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 徐麗;余劍文 |
| 地址: | 226009 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 制備 方法 | ||
本申請?zhí)峁┮环N光纖,包括芯層與圍繞所述芯層的包層,所述包層包括包覆設置的內包層、第一下陷層、第二下陷層與外包層,所述第一下陷層的單側寬度大于所述第二下陷層的單側寬度,所述第一下陷層的相對折射率為?0.03%~?0.06%,所述第二下陷層的相對折射率為?0.08%~?0.15%,所述外包層外還包括涂覆層,所述涂覆層包括包覆設置的第一涂覆層與第二涂覆層,所述第二涂覆層的直徑為175μm~195μm。本申請還提供一種光纖制備方法。通過本申請,能夠降低光纖尺寸,提高光纖的抗彎曲性能。
技術領域
本申請涉及光通信技術領域,尤其涉及一種光纖及光纖制備方法。
背景技術
目前,國內光纖光纜廠家在小尺寸光纖領域處于試驗和探索階段,市場上常規(guī)單模光纖的最小尺寸為200μm,包層直徑為125μm,涂層直徑為250μm,采用內外涂層兩層保護。如何設計適用于超高密度光纜的小尺寸抗彎曲光纖,且光纖性能完全滿足使用要求并沒有公開報道。
隨著國內光網(wǎng)絡建設的增多以及管道資源的限制,光纖的敷設難度增加,且光纖在敷設過程中,經(jīng)常會遇到小角度彎曲,現(xiàn)有的光纖由于其尺寸較大、抗彎曲性能不佳,在進行小角度彎曲時,很容易造成信號損失,造成傳輸中斷。
發(fā)明內容
鑒于此,有必要提出一種光纖及光纖制備方法,能夠降低光纖尺寸,提高光纖的抗彎曲性能。
本申請實施例第一方面提供一種光纖,包括芯層與圍繞所述芯層的包層,所述包層包括包覆設置的內包層、第一下陷層、第二下陷層與外包層,所述第一下陷層的單側寬度大于所述第二下陷層的單側寬度,所述第一下陷層的相對折射率為-0.03%~-0.06%,所述第二下陷層的相對折射率為-0.08%~-0.15%,所述外包層外還包括涂覆層,所述涂覆層包括包覆設置的第一涂覆層與第二涂覆層,所述第二涂覆層的直徑為175μm~195μm。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,所述第一下陷層與所述第二下陷層均為摻氟層,所述第一下陷層的單側寬度為3~5μm,所述第二下陷層的單側寬度為2~4μm。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,所述第二下陷層的折射率為梯度內拋物線形分布,自所述第一下陷層至所述外包層遞減,分布指數(shù)為1.2~2.2。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,所述外包層直徑為124μm~126μm。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,所述第一涂覆層的彈性模量為0.3~0.4Mpa,所述第一涂覆層的厚度為12μm~20μm,所述第一涂覆層的玻璃化轉變溫度為-40℃~-60℃。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,所述第二涂覆層的楊氏模量大于600Mpa,所述第二涂覆層的厚度為12μm~18μm。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,所述光纖的模場直徑為8.4μm~9.4μm。
進一步地,在本申請?zhí)峁┑纳鲜龉饫w中,當所述光纖的彎曲半徑為7.5mm時,在彎曲1圈狀態(tài)下,所述光纖在波長1550nm時的宏彎曲損耗小于0.1dB;所述光纖在波長1625nm時的宏彎曲損耗小于0.25dB。
本申請實施例第二方面還提供一種制備上述光纖的方法,所述光纖制備方法包括:
制備第一芯棒松散體,采用第一噴燈、第二噴燈及第三噴燈由內向外依次進行沉積,在第一噴燈中通入SiCl4氣體、GeCl4氣體、氧氣、可燃氣體及氬氣,形成摻鍺的芯層;在第二噴燈中通入SiCl4氣體、氧氣、可燃氣體及氬氣,形成純硅的內包層;在第三噴燈中通入SiCl4氣體,含氟氣體,氧氣,可燃氣體和氬氣,形成第一下陷層;
將上述制備的第一芯棒松散體置于氯氣中進行脫羥處理,然后進行玻璃化工藝與退火工藝形成芯棒;
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