[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電薄膜的制備方法、電流匯集傳輸材料及能量儲存裝置

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• 申請日: 2020-08-22
• 公開（公告）號: CN114075652A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賈孟
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山鑫美源電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/24;C23C14/20;C25D7/06;C25D3/38;C23C28/02;B05D7/14;H01B5/14;H01B13/00
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1.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包括以下的步驟：

S1、采用真空鍍膜設(shè)備對薄膜基材的表面進行鍍膜，在薄膜基材的一個外表面形成50-200nm的第一金屬鍍層；

S2、通過水鍍裝置，在第一金屬鍍層的外表面形成600-900nm的第二金屬鍍層；

S3、通過淋膜機裝置，對兩卷鍍有第二金屬鍍層的薄膜進行放卷，通過所述淋膜機裝置的擠出式放料系統(tǒng)在兩層第二金屬鍍層之間擠塑形成厚度為2-4μm的夾心層，形成三明治結(jié)構(gòu)的薄膜；

S4、對步驟S3中復(fù)合好的薄膜進行物理剝離，去除三明治結(jié)構(gòu)的最外層表面的薄膜基材，最終形成導(dǎo)電薄膜的成品膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述真空鍍膜設(shè)備包括但不限于真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備或者磁控濺射鍍膜設(shè)備。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述薄膜基材包括但不限于PP膜、PE膜或PET膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述薄膜基材的厚度為8-20μm；所述導(dǎo)電薄膜的成品膜的厚度為4-6μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S1中，第一金屬鍍層為鍍銅層；和/或步驟S2中，第二金屬鍍層為鍍銅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S2中，所述水鍍裝置為堿性水鍍設(shè)備或者酸性水鍍設(shè)備。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S3中，所述淋膜機裝置采用PE或PI材料進行熔融噴淋，噴淋量為3-5g/m²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S4中，成品膜的單面方阻控制在20mΩ以內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟S4中，采用剝離機對步驟S3中的薄膜進行物理剝離。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：還包括步驟S0、在薄膜基材的雙面各涂覆一層0.3-1um厚度的離型劑，以便于后續(xù)S4步驟將薄膜基材與三明治結(jié)構(gòu)的功能膜進行有效剝離。

11.一種電流匯集傳輸材料，其特征在于：包括權(quán)利要求1-10中任意一項所述的導(dǎo)電薄膜。

12.一種能量儲存裝置，包括陰極極片、陽極極片、隔離膜、電解液以及包裝材料，其特征在于：所述陰極極片使用根據(jù)權(quán)利要求11所述的電流匯集傳輸材料。