[發(fā)明專利]一種基于TE50模的高增益基片集成漏波天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010830086.6
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN112054297B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉菊華;梁家榮
• 申請（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號(hào): H01Q1/38
• 分類號(hào): H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/20;H01Q21/06
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 張金福

1.一種基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：包括介質(zhì)基板、上層金屬板、金屬地板；

所述的金屬地板設(shè)置在介質(zhì)基板的底部；

所述的上層金屬板設(shè)置在介質(zhì)基板的頂部；

所述的上層金屬板上設(shè)有三條并列的矩形縫隙陣列；所述的矩形縫隙陣列從上層金屬板的一端分布到上層金屬板的另一端；

所述的介質(zhì)基板的兩側(cè)各設(shè)有一列短路過孔，所述的短路過孔向上貫穿于所述的上層金屬板、向下貫穿于所述的金屬地板；

所述的短路過孔從上層金屬板的一端分布到上層金屬板的另一端；且所述的短路過孔位于兩邊的矩形縫隙陣列的外側(cè)；

所述的上層金屬板的兩端設(shè)有微帶線，用于進(jìn)行饋電；

三條并列的矩形縫隙陣列分別記為第一矩形縫隙陣列、第二矩形縫隙陣列、第三矩形縫隙陣列；

所述的第一矩形縫隙陣列、第三矩形縫隙陣列關(guān)于第二矩形縫隙陣列對稱；

所述的短路過孔分別位于第一矩形縫隙陣列、第三矩形縫隙陣列的外側(cè)；

所述的第一矩形縫隙陣列、第二矩形縫隙陣列、第三矩形縫隙陣列均包括若干個(gè)橫向槽，所述的橫向槽等間距設(shè)置；

其中第一矩形縫隙陣列兩端前三個(gè)橫向槽的長度相同，且大于中間部分的長度；

第三矩形縫隙陣列兩端的前三個(gè)橫向槽的長度相同，且大于中間部分的長度；

第二矩形縫隙陣列兩端的前兩行均由兩個(gè)并列的橫向槽組成，第三行的橫向槽的兩端與兩個(gè)并列的橫向槽的兩端相互平行；

橫向槽在上層金屬板上的延伸方向與矩形縫隙陣列在上層金屬板上的延伸方向垂直。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的短路過孔的內(nèi)部鍍有金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的短路過孔之間等間距設(shè)置，形成等距腔體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的短路過孔的直徑d為1mm，相鄰兩個(gè)短路過孔的間隔s為1.5mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的介質(zhì)基板的長度L_g為321.5mm，寬度W_g為60mm，厚度h為1mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的介質(zhì)基板的介電常數(shù)為2.12，損耗角正切為0.0009。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的上層金屬板的長度為301.5mm，寬度為60mm；所述的金屬地板的尺寸與介質(zhì)基板的尺寸一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的橫向槽的寬度W為0.5mm；相鄰兩個(gè)橫向槽的間距3mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于TE₅₀模的高增益基片集成漏波天線，其特征在于：所述的微帶線的長度為10mm，寬度為2.9mm。