[發(fā)明專利]一種雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針及其制作方法

在審

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• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111948122A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付冬梅;王高遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 北京科技大學(xué)
• 主分類號: G01N17/00
• 分類號: G01N17/00
• 代理公司: 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237
• 代理人: 張仲波;鄧琳

1.一種雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針，其特征在于，包括三層限位式保護夾板，所述三層限位式保護夾板包括防水上層、防水下層與限位層，所述限位層位于所述防水上層和所述防水下層之間，所述三層限位式保護夾板作為外殼保護整體結(jié)構(gòu)；

其中，所述限位層設(shè)置有不對稱雙腐蝕電阻探針、識別碼芯片和連接部分，所述不對稱雙腐蝕電阻探針和所述識別碼芯片通過所述連接部分與導(dǎo)線的一端相連，所述導(dǎo)線的另一端與防水接頭相連；

所述不對稱雙腐蝕電阻探針包括外圈電阻和內(nèi)圈電阻；所述外圈電阻不接觸待測介質(zhì)，其阻值與溫度相關(guān)；所述內(nèi)圈電阻暴露于待測介質(zhì)中，其阻值與溫度和腐蝕速率相關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針，其特征在于，所述內(nèi)圈電阻以預(yù)設(shè)間隔設(shè)置在所述外圈電阻的內(nèi)側(cè)，兩者的形狀均包括：上端半圓部分和與所述上端半圓部分的兩端相連的平行線部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針，其特征在于，所述三層限位式保護夾板采用防水絕緣材料制作，所述防水絕緣材料包括亞克力、工程塑料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針，其特征在于，所述不對稱雙腐蝕電阻探針采用待監(jiān)測金屬材料制作，所述待監(jiān)測金屬材料包括Q235鋼、不銹鋼。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針，其特征在于，所述識別碼芯片中存儲所述雙電阻溫度補償式腐蝕電阻探針的包括標(biāo)準(zhǔn)參考電阻阻值、出廠電阻、金屬材質(zhì)、使用年限、金屬厚度、額定電流、額定工作時間、報警阻值、出廠時間在內(nèi)的信息。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針，其特征在于，所述識別碼芯片采用具有信息儲存功能的電子元器件制作，所述具有信息儲存能力的電子元器件包括EEPROM、NAND Flash。

7.一種基于權(quán)利要求1-6中任一項所述的雙電阻結(jié)構(gòu)溫度補償式腐蝕電阻探針的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、使用切割加工設(shè)備對三層限位式保護夾板進(jìn)行加工，形成防水上層、防水下層與限位層；

S2、使用切割加工設(shè)備對指定待監(jiān)測金屬材料進(jìn)行加工，形成不對稱雙腐蝕電阻探針；

S3、對具有信息儲存功能的電子元器件進(jìn)行處理，形成識別碼芯片；

S4、對具有電路連接功能的導(dǎo)電材料進(jìn)行加工，形成連接部分；

S5、將所述不對稱雙腐蝕電阻探針、所述識別碼芯片及導(dǎo)線的一端焊接在所述連接部分，所述導(dǎo)線的另一端連接防水接頭；

S6、將所述步驟S5中所得整體放入烘干箱內(nèi)烘干，烘干結(jié)束后對除所述不對稱雙腐蝕電阻探針中的內(nèi)圈電阻以外的部分使用中性防水漆噴涂，噴涂完畢后再次對整體烘干；

S7、將所述步驟S6中所得整體置入所述三層限位式保護夾板的限位層，并進(jìn)行固定，再將所述三層限位式保護夾板的防水上層和防水下層固定在所述限位層的表層以及底層；

S8、將所述步驟S7所得成品連接至檢測儀器，檢測是否合格，并在檢測通過后將檢測所得數(shù)據(jù)寫入所述識別碼芯片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟S3中，對具有信息儲存功能的電子元器件進(jìn)行處理包括：將具有信息儲存功能的電子元器件與電路板進(jìn)行焊接、壓接、冷焊、一體成型。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟S7中，使用電子密封膠密封或機械固定方法進(jìn)行相關(guān)固定操作。