[發(fā)明專利]一種SnS2 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010829411.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111939935A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳玉程;王博;呂珺;徐光青;舒霞;汪冬梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J27/04 | 分類號(hào): | B01J27/04;B01J35/00;B01J37/02;B01J37/10;B01J37/34;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司: | 合肥市道爾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34169 | 代理人: | 司賀華 |
| 地址: | 230000 *** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 sns base sub | ||
1.一種SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑,其特征在于,所述光電催化劑中,SnS2量子點(diǎn)分布在Si納米線陣列表面。
2.一種SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑的制備方法,其特征在于,采用金屬輔助化學(xué)刻蝕的方法制備硅納米線陣列,采用水熱法以及冷凍超聲處理的方法制備SnS2量子點(diǎn)溶液,再經(jīng)過(guò)旋涂工藝實(shí)現(xiàn)SnS2量子點(diǎn)在硅納米線陣列表面的負(fù)載,從而制成SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑的制備方法,其特征在于,具體包括以下步驟:
S1、硅納米線陣列的制備:采用金屬輔助化學(xué)刻蝕的方法,制備出硅納米線陣列,備用;
S2、SnS2量子點(diǎn)溶液的制備:通過(guò)一步水熱法制備出來(lái)出SnS2納米材料,再將干燥后的SnS2粉溶于一定量的N-甲基吡咯烷酮中,經(jīng)過(guò)一定時(shí)間的超聲處理后,然后在液氮中進(jìn)行冷凍處理,超聲和冷凍處理循環(huán)進(jìn)行多次,從而獲得SnS2量子點(diǎn)溶液;
S3、SnS2量子點(diǎn)的有效負(fù)載:將一定量的SnS2量子點(diǎn)溶液通過(guò)旋涂工藝沉積在硅納米線陣列表面,惰性氣氛下干燥處理,然后通過(guò)退火工藝提高兩相之間的結(jié)合力,實(shí)現(xiàn)SnS2量子點(diǎn)在硅納米線陣列上的有效負(fù)載,從而制得SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑的制備方法,其特征在于,在步驟S2中,水熱法的水熱條件為:水熱溫度180度,水熱時(shí)間12小時(shí)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑的制備方法,其特征在于,在步驟S2中,超聲冷凍前,SnS2配比的原始溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3mg/mL;經(jīng)過(guò)超聲冷凍干燥離心后,SnS2配比的質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5mg/mL。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種SnS2量子點(diǎn)/Si二元納米陣列光電催化劑的制備方法,其特征在于,在步驟S3中,所述旋涂工藝,具體為:旋涂的SnS2量子點(diǎn)溶液的體積25μL-125μL,旋涂時(shí)轉(zhuǎn)速為500轉(zhuǎn)每分鐘;所述退火工藝,具體為:退火溫度180度,退火時(shí)間為3h,退火氣氛為N2。
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