[發明專利]薄膜體聲波諧振器及其制作方法

在審

• 申請號: 202010828582.8
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111988006A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 黃韋勝;林瑞欽
• 申請（專利權）人: 武漢衍熙微器件有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/205;H03H9/58
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括依次層疊設置的襯底、第一電極、壓電層和第二電極，所述壓電層的諧振區內設有多個孔洞，所述孔洞在平行于所述襯底的方向上的截面形狀與所述壓電層中的晶體結構相適配。

2.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述晶體結構為纖鋅礦型結構，所述孔洞在平行于所述襯底的方向上的截面形狀為六角形。

3.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述晶體結構為鈣鈦礦結構，所述孔洞在平行于所述襯底的方向上的截面形狀為四邊形。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述孔洞在垂直于所述襯底的方向上貫穿所述壓電層，或者所述孔洞的頂端與所述第二電極的下表面接觸，底端與所述第一電極的上表面不接觸，或者所述孔洞的底端與所述第一電極的上表面接觸，頂端與所述第二電極的下表面不接觸。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述孔洞內填充有二氧化硅。

6.一種薄膜體聲波諧振器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成第一電極；

在所述第一電極上形成壓電層；

在所述壓電層的諧振區內形成多個孔洞和第二電極，所述孔洞在平行于所述襯底的方向上的截面形狀與所述壓電層中的晶體結構相適配。

7.根據權利要求6所述的薄膜體聲波諧振器的制作方法，其特征在于，所述在所述壓電層的諧振區內形成多個孔洞和第二電極，包括：

在所述壓電層的諧振區內形成多個孔洞，并在所述孔洞內填充犧牲層；

在填充有所述犧牲層的所述壓電層上形成第二電極；

在形成有所述第二電極的所述壓電層上形成至少一個管道，所述管道沿平行于所述襯底的方向貫穿所述孔洞；

利用所述管道，通過干法刻蝕法移除所述孔洞內的所述犧牲層。

8.根據權利要求6所述的薄膜體聲波諧振器的制作方法，其特征在于，所述在所述壓電層的諧振區內形成多個孔洞和第二電極，包括：

在所述壓電層的諧振區內形成多個孔洞，并在所述孔洞內填充二氧化硅；

在填充有所述二氧化硅的所述壓電層上形成第二電極。

9.根據權利要求6-8中任一項所述的薄膜體聲波諧振器的制作方法，其特征在于，所述晶體結構為纖鋅礦型結構，所述孔洞在平行于所述襯底的方向上的截面形狀為六角形。

10.根據權利要求6-8中任一項所述的薄膜體聲波諧振器的制作方法，其特征在于，所述晶體結構為鈣鈦礦結構，所述孔洞在平行于所述襯底的方向上的截面形狀為四邊形。