[發(fā)明專利]基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111952468A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 楊尊先;郭太良;葉雨亮;徐雷;張玉飛;周雄圖;陳耿旭;陳恩果;余路成
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 丘鴻超;蔡學俊

1.一種基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括：襯底以及設置在所述襯底上的：空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述量子點發(fā)光層通過量子點與有機物混合旋涂制備。

2.根據權利要求1所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述襯底為圖案化的ITO玻璃襯底。

3.根據權利要求1所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述量子點發(fā)光層通過量子點與有機物混合旋涂制備后再采用量子點反溶劑旋涂處理。

4.根據權利要求1所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述量子點溶液濃度為10-20mg/ml，有機物摻雜濃度為0.1-5mg/ml。

5.根據權利要求3所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管，其特征在于：旋涂滴加的所述量子點反溶劑的量為10-50μl。

6.根據權利要求1-5其中任一所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管，其特征在于：所述量子點發(fā)光層厚度為30-100nm；空穴注入層厚度為10-20nm；空穴傳輸層厚度為30-40nm；電子傳輸層厚度為70-80nm；陰極厚度為90-110nm。

7.一種基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：配制量子點與有機物的混合溶液:；

步驟S2：選擇:圖案化的ITO玻璃襯底作為陽極極板；在所述陽極極板上旋涂PEDOT：采用PSS溶液制備空穴注入層，再旋涂TFB溶液作為空穴傳輸層；

步驟S3：將CdSe量子點溶液摻雜有機物，在所述空穴傳輸層上旋涂量子點有機物混合溶液制備量子點發(fā)光層，退火干燥；

步驟S4：利用量子點反溶劑旋涂去除量子點發(fā)光層中部分有機物；

步驟S5：在所述量子點發(fā)光層上依次沉積電子傳輸層和陰極。

8.根據權利要求7所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于：所述量子點溶液濃度為10-20mg/ml，有機物摻雜濃度為0.1-5mg/ml；所述量子點反溶劑的量為10-50μl。

9.根據權利要求7所述的基于量子點反溶劑去除發(fā)光層中有機物量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于：在步驟S3中，所述量子點發(fā)光層的退火時間為10-20min，退火溫度為50-100℃。