[發明專利]像素暗點化處理方法、陣列基板及其制作方法及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010825875.0
• 申請日: 2020-08-17
• 公開（公告）號: CN111933582A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 藺聰;郭東輝;蔡丹
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 王婷;姜春咸

本申請涉及顯示領域，提供一種像素暗點化處理方法、陣列基板及其制作方法及顯示裝置，該像素暗點化處理方法，用于對陣列基板上出現亮點不良的子像素單元進行暗點化處理，包括：在子像素單元的薄膜晶體管的第一絕緣層和有源層上形成斷口；在有源層靠近斷口的位置形成向遠離陣列基板的襯底基板的方向彎曲的彎曲部，彎曲部用于在后續進行摻雜工藝時使斷口兩側的摻雜粒子彼此隔離。應用本申請，可以在后續進行摻雜工藝時對切口兩側的摻雜粒子進行隔離，以提高暗點化成功率。

技術領域

本發明涉及顯示裝置技術領域，具體地，涉及一種像素暗點化處理方法、陣列基板及其制作方法及顯示裝置。

背景技術

在制作陣列基板時，形成柵極后，通常會對不良亞像素進行電路維修，其中，對于不可采用常規的維修方式進行維修的常亮亞像素，則采用暗點化工藝進行處理，使常亮亞像素變暗區域正常顯示。但是，在實際應用過程中，經常會出現暗點化失敗的現象。

發明內容

本申請旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種像素暗點化處理方法、陣列基板及其制作方法及顯示裝置，可以在后續進行摻雜工藝時對切口兩側的摻雜粒子進行隔離，以提高暗點化成功率。

為實現本申請的目的，第一方面提供一種像素暗點化處理方法，用于對陣列基板上出現亮點不良的子像素單元進行暗點化處理，包括：

在所述子像素單元的薄膜晶體管的第一絕緣層和有源層上形成斷口；

在所述有源層靠近所述斷口的位置形成向遠離所述陣列基板的襯底基板的方向彎曲的彎曲部，所述彎曲部用于在后續進行摻雜工藝時使所述斷口兩側的摻雜粒子彼此隔離。

可選地，所述在所述有源層靠近所述斷口的位置形成向遠離所述陣列基板的襯底基板的方向彎曲的彎曲部，進一步包括：

對所述有源層靠近所述斷口的部分進行加熱，使所述有源層靠近所述斷口的部分向靠近所述斷口的方向發生熱膨脹，形成延伸部；

對所述有源層進行冷卻，使所述延伸部向遠離所述襯底基板的方向彎曲，形成所述彎曲部。

可選地，采用飛秒激光設備對所述有源層靠近所述斷口的部分進行加熱。

可選地，所述激光采用紫外線或紅外線進行激光照射。

可選地，所述激光的掃描速率的取值范圍為8000μm/s-12000μm/s。

可選地，所述對所述有源層進行冷卻，進一步包括：

將冷卻氣體輸送至所述有源層的上方，對所述有源層進行冷卻指定時長，使所述延伸部向遠離所述斷口的方向發生收縮。

可選地，所述斷口與所述薄膜晶體管的柵極層在平行所述襯底基板的方向上的距離的取值范圍為1μm-2μm。

為實現本申請的目的，第二方面提供一種陣列基板的制作方法，包括：應用第一方面所述的像素暗點化處理方法，對陣列基板上出現亮點不良的子像素單元進行暗點化處理。

為實現本申請的目的，第三方面提供一種陣列基板，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多個薄膜晶體管，至少一個所述薄膜晶體管上設置有用于實現暗點化的斷口；且所述薄膜晶體管的有源層靠近所述斷口的位置形成向遠離所述襯底基板的方向彎曲的彎曲部，所述彎曲部用于在后續進行摻雜工藝時對所述斷口兩側的摻雜粒子進行隔離。

為實現本申請的目的，第四方面提供一種顯示裝置，包括陣列基板和封裝結構，所述陣列基板為如第三方面所述的陣列基板。

本申請具有以下有益效果：