[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 202010825708.6 | 申請日： | 2020-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN112510038A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 王朝勛;李振銘;趙高毅;王美勻;周沛瑜;陳國儒 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 劉瀟;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
一源極/漏極部件，設置于一半導體層中；
一金屬柵極堆疊，設置于一第一層間介電層中并鄰近該源極/汲
極部件；
一第二層間介電層，設置于該金屬柵極堆疊上方；
一源極/漏極接觸件，設置于該源極/漏極部件上方；以及
一氣隙，設置于該源極/漏極接觸件的一底部的一側壁與該第一
層間介電層之間，其中該源極/漏極接觸件的一頂部的一側壁與該第二層間介電層直接接觸。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
