[發明專利]一種真空壓彎式彎晶在審
| 申請號： | 202010825515.0 | 申請日： | 2020-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN112201383A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發明（設計）人： | 翁祖謙;劉星;劉鵬 | 申請（專利權）人： | 上?？萍即髮W |
| 主分類號： | G21K1/06 | 分類號： | G21K1/06 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 壓彎式彎晶 | ||
1.一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：包括殼體，所述殼體上設有X射線入射口(2)，從X射線入射口(2)到殼體內部沿X射線入射方向依次設置X射線透射膜(3)、單晶晶片(4)和曲面基底(5)，所述X射線透射膜(3)、殼體的側壁和底面形成密封腔體，所述密封腔體上設有用于抽真空的排氣口(1)，進行晶體壓彎時，密封腔體內產生負壓，大氣壓將X射線透射膜(3)柔性地貼合在單晶晶片(4)和曲面基底(5)上。
2.如權利要求1所述的一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：所述殼體包括頂座(7)、腔室(8)和底座(9)，頂座(7)通過腔室(8)和底座(9)連接，所述X射線入射口(2)設在頂座(7)上，曲面基底(5)設在底座(9)上，X射線透射膜(3)設在頂座(7)和腔室(8)之間，X射線透射膜(3)、腔室(8)和底座(9)形成密封腔體。
3.如權利要求2所述的一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：所述底座(9)上設有凹槽(10)，所述曲面基底(5)通過凹槽(10)固定在底座(9)上。
4.如權利要求2所述的一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：所述頂座(7)與腔室(8)之間、腔室(8)與底座(9)之間通過密封圈(6)密封。
5.如權利要求1所述的一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：所述X射線透射膜(3)為聚酰亞胺薄膜材料或聚氨酯材料。
6.如權利要求1所述的一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：所述曲面基底(5)的曲面為球面、柱面、雙曲面或拋物面；所述曲面基底(5)的形狀為長方形、正方形或圓形。
7.如權利要求1所述的一種真空壓彎式彎晶，其特征在于：所述單晶晶片(4)的材料為硅、鍺、石英、藍寶石或高定向熱解石墨。
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