[發明專利]存儲器陣列和用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法

在審

• 申請號: 202010825265.0
• 申請日: 2020-08-17
• 公開（公告）號: CN112436012A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 胡怡;R·M·阿卜杜勒拉哈曼;N·比利克;D·比林斯利;柏振宇;J·M·卡什;M·J·金;A·李;D·諾伊邁耶;W·Y·吳;Y·K·樸;C·蒂瓦里;王宜平;L·威廉森;張曉松
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及存儲器陣列和用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法。一種包括存儲器單元串的存儲器陣列包括個別地包括豎直堆疊的橫向間隔開的存儲器塊，所述豎直堆疊包括交替的絕緣層和導電層。存儲器單元的操作性溝道材料串延伸穿過所述絕緣層和所述導電層。居間材料在橫向上處于橫向緊鄰的所述存儲器塊之間且在縱向上沿著所述存儲器塊。所述居間材料包括其中個別地具有豎直伸長接縫的縱向交替的第一和第二區域。所述豎直伸長接縫在所述第一區域中比在所述第二區域中長。公開包含方法的額外實施例。

技術領域

本文中所公開的實施例涉及存儲器陣列以及用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法。

背景技術

存儲器是一種集成電路且在計算機系統中用于存儲數據。存儲器可制造成個別存儲器單元的一或多個陣列。可使用數字線(其也可稱作位線、數據線或感測線)和存取線(其也可稱作字線)對存儲器單元進行寫入或從中進行讀取。感測線可使存儲器單元沿著陣列的列以導電方式互連，且存取線可使存儲器單元沿著陣列的行以導電方式互連。每一存儲器單元可通過感測線與存取線的組合唯一地尋址。

存儲器單元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存儲器單元可在不通電的情況下將數據存儲很長的時間段。非易失性存儲器在常規上被指定為具有至少約10年保留時間的存儲器。易失性存儲器會消散，且因此經刷新/重寫以維持數據存儲。易失性存儲器可具有數毫秒或更少的保留時間。無論如何，存儲器單元經配置以在至少兩個不同的可選擇狀態保留或存儲存儲內容。在二進制系統中，所述狀態被視作“0”或“1”。在其它系統中，至少一些個別存儲器單元可經配置以存儲多于兩個層級或狀態的信息。

場效應晶體管是一種可用于存儲器單元中的電子組件。這些晶體管包括其間具有半導電溝道區的一對導電源極/漏極區。導電柵極鄰近于溝道區且通過薄的柵極絕緣體與溝道區分離。向柵極施加合適的電壓允許電流通過溝道區從源極/漏極區中的一者流動到另一者。當從柵極移除電壓時，電流在很大程度上被阻止流動通過溝道區。場效應晶體管還可包含額外結構，例如，作為柵極絕緣體與導電柵極之間的柵極構造的部分的可逆可編程電荷存儲區。

快閃存儲器是一種存儲器，且大量用于現代計算機和裝置中。例如，現代個人計算機可使BIOS存儲在快閃存儲器芯片上。作為另一實例，越來越常見的是，計算機和其它裝置利用固態驅動器中的快閃存儲器來替代常規硬盤驅動器。作為又一實例，快閃存儲器在無線電子裝置中普及，這是因為快閃存儲器使制造商能夠在新的通信協議變得標準化時支持所述新的通信協議，且使制造商能夠提供針對增強特征遠程升級裝置的能力。

NAND可以是集成快閃存儲器的基本架構。NAND單元裝置包括與存儲器單元的串聯組合進行串聯耦合的至少一個選擇裝置(且所述串聯組合通常稱為NAND串)。NAND架構可按三維布置配置，其包括豎直堆疊的存儲器單元，所述豎直堆疊的存儲器單元個別地包括可逆可編程豎直晶體管。控制件或其它電路系統可形成于豎直堆疊的存儲器單元之下。其它易失性或非易失性存儲器陣列架構也可包括個別地包括晶體管的豎直堆疊的存儲器單元。

存儲器陣列可布置在存儲器頁面、存儲器塊和部分塊(例如，子塊)以及存儲器平面中，例如在第2015/0228659號、第2016/0267984號和第2017/0140833號美國專利申請公開案中的任一者中所展示和描述，所述美國專利申請公開案特此以引用方式充分并入本文中，且其各方面可用在本文公開的發明的一些實施例中。存儲器塊可至少部分地限定豎直堆疊的存儲器單元的個別字線層中的個別字線的縱向輪廓。與這些字線的連接可在豎直堆疊的存儲器單元的陣列的末端或邊緣處所謂的“階梯結構”中發生。階梯結構包含個別“臺階”(替代地稱為“階”或“階梯”)，其限定個別字線的接觸區，豎向延伸的導電通孔在其上接觸以提供對字線的電存取。

發明內容