[發(fā)明專利]光學(xué)放大器和光學(xué)放大器的檢查方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010824502.1 | 申請日： | 2020-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN112542765A | 公開（公告）日： | 2021-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高林和雅;秋山杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士通光器件株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/028;H01S5/223;H01S5/50;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 段丹輝;劉久亮 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 放大器 檢查 方法 | ||
1.一種光學(xué)放大器，該光學(xué)放大器包括：
光學(xué)放大器芯片，該光學(xué)放大器芯片包括一對半導(dǎo)體光學(xué)放大器SOA、U形波導(dǎo)和兩個電極，該U形波導(dǎo)連接該對SOA，所述兩個電極分別與該對SOA對應(yīng)并且彼此分離；以及
基底基板，該基底基板包括連接所述兩個電極的公共的金屬布線，并且所述光學(xué)放大器芯片安裝在所述基底基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)放大器，其中，
所述基底基板包括：
硅層；
第一絕緣層，該第一絕緣層被層壓在所述硅層上；
波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層形成在所述第一絕緣層上并且由硅制成；以及
第二絕緣層，該第二絕緣層覆蓋所述波導(dǎo)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)放大器，其中，
所述基底基板包括平臺部，該平臺部通過至少切除所述第一絕緣層、所述波導(dǎo)層和所述第二絕緣層而形成，并且
所述光學(xué)放大器芯片安裝在所述平臺部上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)放大器，其中，
該對SOA具有與所述波導(dǎo)層的側(cè)表面光耦合的側(cè)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)放大器，其中，
由單個電源經(jīng)由所述兩個電極和所述金屬布線來驅(qū)動該對SOA。
6.一種光學(xué)放大器的檢查方法，該光學(xué)放大器包括U形波導(dǎo)連接的一對半導(dǎo)體光學(xué)放大器SOA，該檢查方法包括以下步驟：
經(jīng)由分別與該對SOA對應(yīng)并且彼此分離的兩個電極中的一個電極向該對SOA中的一個SOA輸入正向電流；
經(jīng)由所述兩個電極中的另一個電極向該對SOA中的另一個SOA施加反向偏置；以及
測量在該對SOA中的所述另一個SOA中產(chǎn)生的光電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)放大器的檢查方法，該檢查方法還包括以下步驟：
將預(yù)定的光輸入到該對SOA的所述一個SOA的端表面。
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