[發(fā)明專(zhuān)利]場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路、方法、裝置、芯片及電池管理系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010823718.6
• 申請(qǐng)日: 2020-08-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112290927A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周號(hào)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 珠海邁巨微電子有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K17/687
• 分類(lèi)號(hào): H03K17/687;H01M10/42
• 代理公司: 北京庚致知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11807
• 代理人: 李偉波;李曉輝

1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路，其特征在于，包括：

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管為NMOS晶體管并且包括柵極、源極、漏極、襯底、第一寄生二極管和第二寄生二極管，其中所述第一寄生二極管和第二寄生二極管反向串聯(lián)，所述第一寄生二極管和第二寄生二極管的串聯(lián)電路的一端連接所述源極，并且所述串聯(lián)電路的另一端連接所述漏極，所述第一寄生二極管和第二寄生二極管的連接點(diǎn)與所述襯底連接；以及

開(kāi)關(guān)，所述開(kāi)關(guān)的一端與所述連接點(diǎn)連接，所述開(kāi)關(guān)的另一端與所述源極連接，

當(dāng)所述柵極與所述源極之間的柵源電壓大于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通閾值電壓時(shí)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，并且所述開(kāi)關(guān)導(dǎo)通以使得所述源極與所述襯底連通，當(dāng)所述柵源電壓小于所述導(dǎo)通閾值電壓時(shí)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管斷開(kāi)，并且所述開(kāi)關(guān)斷開(kāi)以使得所述源極與所述襯底斷開(kāi)，所述襯底處于浮空狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路，其特征在于，通過(guò)所述開(kāi)關(guān)將所述源極與所述襯底連通時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道形成，并且通過(guò)所述開(kāi)關(guān)將所述源極與所述襯底斷開(kāi)時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道不形成，

或者

所述第一寄生二極管和第二寄生二極管的串聯(lián)電路設(shè)置成，在所述源極和所述漏極之間不會(huì)通過(guò)所述串聯(lián)電路形成導(dǎo)電通路，

或者

所述第一寄生二極管的陽(yáng)極與所述第二寄生二極管的陽(yáng)極連接，所述第一寄生二極管的陰極與所述漏極連接，所述第二寄生二極管的陰極與所述源極連接，

或者

所述開(kāi)關(guān)為NMOS晶體管，

或者

所述開(kāi)關(guān)的NMOS晶體管的柵極與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的NMOS晶體管的柵極連接，所述開(kāi)關(guān)的NMOS晶體管的源極與所述連接點(diǎn)連接，所述開(kāi)關(guān)的NMOS晶體管的漏極與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的NMOS晶體管的源極連接，

或者

所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與漏極之間連接有第二開(kāi)關(guān)，當(dāng)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極的電壓≤0時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)導(dǎo)通以將所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與漏極連接，當(dāng)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極的電壓＞0時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)以將所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與漏極斷開(kāi)，

或者

所述第二開(kāi)關(guān)為耐壓二極管，所述耐壓二極管的陽(yáng)極與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極直接連接或間接連接，所述耐壓二極管的陰極與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極直接連接或間接連接，

或者

所述第二開(kāi)關(guān)為第二NMOS晶體管，所述第二NMOS晶體管具有寄生二極管，所述NMOS晶體管的源極與寄生二極管的一端與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極直接連接或間接連接，所述NMOS晶體管的漏極與寄生二極管的另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極直接連接或間接連接。

3.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制方法，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管為NMOS晶體管并且包括柵極、源極、漏極、襯底、第一寄生二極管和第二寄生二極管，其中所述第一寄生二極管和第二寄生二極管反向串聯(lián)，所述第一寄生二極管和第二寄生二極管的串聯(lián)電路的一端連接所述源極，并且所述串聯(lián)電路的另一端連接所述漏極，所述第一寄生二極管和第二寄生二極管的連接點(diǎn)與所述襯底連接；所述連接點(diǎn)連接開(kāi)關(guān)的一端，所述開(kāi)關(guān)的另一端與所述源極連接，其特征在于，所述方法包括：

當(dāng)所述柵極與所述源極之間的柵源電壓大于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通閾值電壓時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管被控制為導(dǎo)通，并且所述開(kāi)關(guān)被控制為導(dǎo)通以使得所述源極與所述襯底連通；以及

當(dāng)所述柵源電壓小于所述導(dǎo)通閾值電壓時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管被控制為斷開(kāi)，并且所述開(kāi)關(guān)被控制為斷開(kāi)以使得所述源極與所述襯底斷開(kāi)，所述襯底處于浮空狀態(tài)。