[發(fā)明專利]高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010822544.1
• 申請(qǐng)日: 2020-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN111961472B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王溯;孫紅旗;季崢;劉金霞;黃桂華;張怡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K13/06
• 分類號(hào): C09K13/06;H01L21/311
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 王衛(wèi)彬;陳卓

1.一種用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液組合物，所述的蝕刻在氧化硅膜存在下進(jìn)行，其特征在于，所述蝕刻液組合物由以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分組成：75％-85％的磷酸、1.0％-9.5％的化合物A和水，所述的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為各組分質(zhì)量占各組分總質(zhì)量的百分比；

2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述的水為去離子水、蒸餾水、純水和超純水中的一種或多種；

和/或，所述的磷酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為77％、78％、81％、84％或85％。

3.如權(quán)利要求2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述的氮化硅膜為在圖案化的硅半導(dǎo)體晶片上形成的氮化硅膜；

和/或，所述的氮化硅膜的厚度為

4.如權(quán)利要求3所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述的氧化硅膜為在圖案化的硅半導(dǎo)體晶片上形成的氧化硅膜；

和/或，所述的氧化硅膜的厚度為

和/或，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜為氧化硅膜和氮化硅膜的層疊結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述的層疊結(jié)構(gòu)的層數(shù)為10～200層。

6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述的蝕刻液組合物由以下任一方案組成：

方案一：

所述的蝕刻液組合物由4.50％的化合物A、81％的磷酸和14.5％的水組成；

方案二：

所述的蝕刻液組合物由1.0％的化合物A、84％的磷酸和15％的水組成；

方案三：

所述的蝕刻液組合物由9.50％的化合物A、78％的磷酸和12.5％的水組成。

7.一種如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的蝕刻液組合物的制備方法，其特征在于，其包括如下步驟：將所述的磷酸、所述的化合物A和所述的水混合，得所述的蝕刻液組合物即可。

8.一種如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的蝕刻液組合物在蝕刻氮化硅膜中的應(yīng)用。

9.一種化合物A在制備用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液中的應(yīng)用，所述的蝕刻在氧化硅膜存在下進(jìn)行，其特征在于，所述蝕刻液由質(zhì)量分?jǐn)?shù)為75％-85％的磷酸、1.0％-9.5％的化合物A和水組成；

10.如權(quán)利要求9所述的應(yīng)用，其特征在于，

所述的氮化硅膜為在圖案化的硅半導(dǎo)體晶片上形成的氮化硅膜；

和/或，所述的氮化硅膜的厚度為

和/或，所述的氧化硅膜為在圖案化的硅半導(dǎo)體晶片上形成的氧化硅膜；

和/或，所述的氧化硅膜的厚度為

和/或，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜為氧化硅膜和氮化硅膜的層疊結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求9所述的應(yīng)用，其特征在于，所述的蝕刻液由以下任一方案組成：

方案A：

所述的蝕刻液由4.50％的化合物A、81％的磷酸和14.5％的水組成；

方案B：

所述的蝕刻液由1.0％的化合物A、84％的磷酸和15％的水組成；

方案C：

所述的蝕刻液由9.50％的化合物A、78％的磷酸和12.5％的水組成。