[發明專利]陣列基板母板和檢測刻蝕殘留的方法

有效

• 申請號: 202010820923.7
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111952285B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 李偉華;劉洋;孫劍秋;李陽
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;H01L27/12;G09G3/00
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

1.一種陣列基板母板，其特征在于，包括至少一個陣列基板和至少一個測試元件，所述測試元件用于監控所述陣列基板的被監控層的刻蝕殘留；所述測試元件包括：

測試走線層，所述測試走線層與所述陣列基板的被監控層同層設置；所述測試走線層包括相鄰設置的第一測試走線和第二測試走線，所述第一測試走線和所述第二測試走線均沿第一方向延伸且絕緣；

第一焊盤，位于所述第一測試走線的一端，所述第一焊盤與所述第一測試走線短接，作為所述第一測試走線的測試端子；

第二焊盤，位于所述第二測試走線的一端，所述第二焊盤與所述第二測試走線短接，作為所述第二測試走線的測試端子；其中，通過偵測所述第一焊盤和所述第二焊盤的電學參數測試所述第一測試走線和所述第二測試走線之間是否短接；

所述第一測試走線的數量為至少兩條，每條所述第一測試走線的一端均與所述第一焊盤短接；

所述第二測試走線的數量為至少兩條，每條所述第二測試走線的一端均與所述第二焊盤短接；

所述第一焊盤和第二焊盤分別位于所述第一測試走線和所述第二測試走線的兩側；

所述第一測試走線與所述第二測試走線每隔M條交替設置，M為正整數；

至少兩個所述測試元件構成第三測試元件組；所述第一測試走線和所述第二測試走線均為測試走線；

所述第三測試元件組對應的各測試元件中的所述測試走線的線距均相同；所述第三測試元件組對應的各測試元件中的M的取值均相同；且所述第三測試元件組對應的各測試元件中的所述測試走線的線寬均不相同；

或者，所述第三測試元件組對應的各測試元件中的所述測試走線的線寬均相同；所述第三測試元件組對應的各測試元件中的M的取值均相同；且所述第三測試元件組對應的各測試元件中的所述測試走線的線距均不相同。

2.根據權利要求1所述的陣列基板母板，其特征在于，所述被監控層包括被監控走線，所述被監控走線沿所述第一方向延伸；

所述第一測試走線和所述第二測試走線均為測試走線；所述被監控走線的線寬和所述測試走線的線寬相同；相鄰兩根所述測試走線的線距與相鄰兩根所述被監控走線的線距相同。

3.根據權利要求2所述的陣列基板母板，其特征在于，還包括襯底，所述陣列基板和所述測試元件均設置在所述襯底上；

所述陣列基板還包括：

第一走線層，所述第一走線層設置于所述襯底和所述被監控層之間；所述第一走線層包括至少兩條第一走線，所述第一走線沿第二方向延伸；所述第二方向與所述第一方向交叉；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設置于所述第一走線層和所述被監控層之間；對應所述第一絕緣層設置有所述第一走線的區域高于對應所述第一絕緣層未設置有所述第一走線的區域；

所述測試元件還包括：

第二走線層，與所述第一走線層同層設置；所述第二走線層包括至少兩條第二走線，所述第二走線沿所述第二方向延伸；

第二絕緣層，與所述第一絕緣層同層設置；對應所述第二絕緣層設置有所述第二走線的區域高于對應所述第二絕緣層未設置有所述第二走線的區域。

4.根據權利要求3所述的陣列基板母板，其特征在于，至少兩個所述測試元件構成第一測試元件組；

所述第一測試元件組對應的各測試元件中的所述第二走線的線距均相同，且線寬均不相同；

或者，所述第一測試元件組對應的各測試元件中的所述第二走線的線寬均相同，且線距均不相同。

5.根據權利要求3或4所述的陣列基板母板，其特征在于，所述陣列基板包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；

其中，所述第一走線層包括第一金屬層和/或第二金屬層；所述被監控層包括第三金屬層；

所述第一測試走線與所述第二測試走線每隔M條交替設置，M為正整數。

6.根據權利要求1所述的陣列基板母板，其特征在于，至少兩個所述測試元件構成第二測試元件組；

所述第一測試走線和所述第二測試走線均為測試走線；所述第二測試元件組對應的各測試元件中的所述測試走線的線寬均相同；所述第二測試元件組對應的各測試元件中的所述測試走線的線距均相同；且所述第二測試元件組對應的各測試元件中的M的取值均不相同。