[發(fā)明專利]一種線圈繞組、變壓器和串并型電力電子裝置

有效

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• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111863406B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊加才;徐君;趙玉順;蔡國慶;劉威
• 申請（專利權(quán)）人: 陽光電源股份有限公司
• 主分類號: H01F27/32
• 分類號: H01F27/32;H01F27/36;H01F27/30;H01F27/28;H02M3/335
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張柳

1.一種線圈繞組，應(yīng)用于變壓器，其特征在于，包括：線包單元、線包絕緣層、高頻絕緣介質(zhì)填充材料、電場屏蔽層和低頻絕緣介質(zhì)填充材料；其中：

所述線包絕緣層包裹于所述線包單元外側(cè)；

所述高頻絕緣介質(zhì)填充材料，填充于所述電場屏蔽層的內(nèi)側(cè)；

所述低頻絕緣介質(zhì)填充材料，填充于所述電場屏蔽層的外側(cè)；

所述高頻絕緣介質(zhì)填充材料和所述低頻絕緣介質(zhì)填充材料，一個為介質(zhì)損耗角和/或介電常數(shù)低于相應(yīng)預(yù)設(shè)低閾值的填充材料，降低介質(zhì)損耗，另一個為介質(zhì)損耗角和/或介電常數(shù)分別高于相應(yīng)預(yù)設(shè)高閾值的填充材料，提高導(dǎo)熱性能、降低溫升、確保散熱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈繞組，其特征在于，所述高頻絕緣介質(zhì)填充材料為介質(zhì)損耗角和/或介電常數(shù)低于相應(yīng)預(yù)設(shè)低閾值的填充材料；

所述低頻絕緣介質(zhì)填充材料為介質(zhì)損耗角和介電常數(shù)分別高于相應(yīng)預(yù)設(shè)高閾值的填充材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線圈繞組，其特征在于，所述電場屏蔽層為高頻電場屏蔽層；所述線圈繞組還包括：雙絕緣介質(zhì)填充材料和內(nèi)低頻電場屏蔽層；

所述雙絕緣介質(zhì)填充材料，填充于所述高頻電場屏蔽層和所述內(nèi)低頻電場屏蔽層的內(nèi)側(cè)之間；

所述低頻絕緣介質(zhì)填充材料，填充于所述內(nèi)低頻電場屏蔽層的外側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線圈繞組，其特征在于，所述雙絕緣介質(zhì)填充材料包括：介質(zhì)損耗角和/或介電常數(shù)低于相應(yīng)預(yù)設(shè)低閾值的填充材料，以及，介質(zhì)損耗角和介電常數(shù)分別高于相應(yīng)預(yù)設(shè)高閾值的填充材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-2或4任一所述的線圈繞組，其特征在于，還包括：外低頻電場屏蔽層；

所述外低頻電場屏蔽層，包裹于所述低頻絕緣介質(zhì)填充材料的外側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-2或4任一所述的線圈繞組，其特征在于，所述線包單元，為纏繞于相應(yīng)鐵芯上的線圈。

7.一種變壓器，其特征在于，包括：鐵芯、繞制于所述鐵芯上的至少一個原邊繞組和至少一個副邊繞組；

全部繞組中的至少一個繞組，為如權(quán)利要求1-6任一所述的線圈繞組。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的變壓器，其特征在于，全部線圈繞組共用低頻絕緣介質(zhì)填充材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的變壓器，其特征在于，全部線圈繞組位于所述鐵芯的一端。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的變壓器，其特征在于，全部線圈繞組位于所述鐵芯的中間。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的變壓器，其特征在于，全部線圈繞組采用雙層纏繞的方式，繞制于所述鐵芯上。

12.根據(jù)權(quán)利要求7-11任一所述的變壓器，其特征在于，所述原邊繞組和所述副邊繞組的個數(shù)均為1或2。

13.一種串并型電力電子裝置，其特征在于，包括：N個直流側(cè)并聯(lián)連接的DC/AC變換器，N個直流側(cè)串聯(lián)連接的AC/DC變換器，以及，N個如權(quán)利要求7-12任一所述的變壓器；N為大于1的正整數(shù)；

每個所述DC/AC變換器的交流側(cè)，分別通過一個對應(yīng)的變壓器，連接各自對應(yīng)的AC/DC變換器的交流側(cè)。