[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010819896.1
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN114078762A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有沿第一方向延伸的初始柵極結構，初始柵極結構兩側基底內形成有源漏摻雜區，初始柵極結構側部的基底上形成有層間介質層，層間介質層覆蓋初始柵極結構側壁，基底沿第一方向包括多個器件單元區以及位于相鄰器件單元區之間的隔離區；刻蝕隔離區的初始柵極結構和層間介質層，形成沿第二方向延伸的隔離槽，隔離槽在第一方向上將初始柵極結構分割為多個柵極結構，第二方向垂直于第一方向；在隔離槽中形成阻斷層；以阻斷層為掩膜刻蝕器件單元區中柵極結構兩側的層間介質層，形成沿第一方向延伸且露出源漏摻雜區的源漏接觸孔；在源漏接觸孔中形成源漏接觸插塞。本發明能夠降低工藝成本。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體結構及其形成方法。

背景技術

隨著集成電路制造技術的不斷發展，人們對集成電路的集成度和性能的要求變得越來越高。為了提高集成度，降低成本，元器件的關鍵尺寸不斷變小，集成電路內部的電路密度越來越大，這種發展使得晶圓表面無法提供足夠的面積來制作所需要的互連線。

為了滿足關鍵尺寸縮小過后的互連線所需，目前不同金屬層或者金屬層與基底的導通是通過互連結構實現的。互連結構包括互連線和形成于接觸開口內的接觸孔插塞。接觸孔插塞與半導體器件相連接，互連線實現接觸孔插塞之間的連接，從而構成電路。

晶體管結構內的接觸孔插塞包括位于柵極結構表面的柵極接觸孔插塞，用于實現柵極結構與外部電路的連接，還包括位于源漏摻雜區表面的源漏接觸孔插塞，用于實現源漏摻雜區與外部電路的連接。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供一種半導體結構及其形成方法，降低工藝成本。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有沿第一方向延伸的初始柵極結構，所述初始柵極結構兩側的基底內形成有源漏摻雜區，所述初始柵極結構側部的基底上形成有層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述初始柵極結構的側壁，沿所述第一方向，所述基底包括多個器件單元區以及位于相鄰所述器件單元區之間的隔離區；在所述隔離區中，刻蝕所述初始柵極結構、以及所述初始柵極結構兩側的層間介質層，形成沿第二方向延伸的隔離槽，所述隔離槽在所述第一方向上將所述初始柵極結構分割為多個柵極結構，所述第二方向垂直于所述第一方向；在所述隔離槽中形成阻斷層；以所述阻斷層為掩膜，刻蝕所述器件單元區中柵極結構兩側的層間介質層，形成沿所述第一方向延伸且露出所述源漏摻雜區的源漏接觸孔；在所述源漏接觸孔中形成源漏接觸插塞。

相應的，本發明實施例還提供一種半導體結構，包括：基底，沿第一方向，所述基底包括多個器件單元區以及位于相鄰所述器件單元區之間的隔離區；柵極結構，位于所述器件單元區的所述基底上，所述柵極結構沿所述第一方向延伸；源漏摻雜區，位于所述柵極結構兩側的基底內；層間介質層，位于所述柵極結構側部的基底上，所述層間介質層覆蓋所述柵極結構的側壁；阻斷層，位于所述隔離區中且沿第二方向延伸，在所述第一方向上，所述阻斷層位于相鄰所述柵極結構之間，并貫穿相鄰所述器件單元區中的源漏摻雜區之間所述層間介質層，所述第二方向垂直于所述第一方向；源漏接觸孔，位于所述器件單元區中柵極結構兩側的層間介質層中，所述源漏接觸孔沿所述第一方向延伸且露出所述源漏摻雜區，其中，所述阻斷層作為形成所述源漏接觸孔的刻蝕掩膜；源漏接觸插塞，位于所述源漏接觸孔中。

與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下優點：