[發明專利]一種覆銅板及其高速真空制備方法有效
| 申請號： | 202010819635.X | 申請日： | 2020-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN111962034B | 公開（公告）日： | 2022-11-01 |
| 發明（設計）人： | 吳忠振 | 申請（專利權）人： | 深圳后浪電子信息材料有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/02 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 朱陽波 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 銅板 及其 高速 真空 制備 方法 | ||
1.一種覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述的制備方法在真空鍍膜系統中完成，具體包括：
步驟A、采用氣體離子源對基底進行表面活化處理；
步驟B、采用高功率脈沖磁控濺射技術，并在第二加速偏壓下在所述基底上沉積金屬注入層；
步驟C、采用持續高功率磁控濺射技術，并在第三加速偏壓下在所述金屬注入層上沉積銅膜；
所述步驟C包括：
采用持續高功率磁控濺射技術濺射銅靶材，產生銅離子，并通過第三加速偏壓對所述銅離子進行加速后沉積到金屬注入層上，在所述金屬注入層上得到銅膜；其中，所述第三加速偏壓為0-1000V；
其中，所述持續高功率磁控濺射技術的靶面功率密度80W/cm2，銅的離化率50％；
所述基底為柔性基底；
所述覆銅板為撓性覆銅板。
2.根據權利要求1所述的覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述步驟A包括：
將氣體置于真空腔室內，將所述真空腔室抽至3×10-3Pa以下的壓力，然后通入惰性氣體，使腔室獲得0.2-5Pa的工作壓力，開啟氣體離子源，并在第一加速偏壓下對基底進行表面活化2-60min；其中，所述第一加速偏壓為0.1-2kV。
3.根據權利要求1所述的覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述步驟B包括：
采用高功率脈沖磁控濺射技術濺射金屬靶材，產生金屬離子，并通過第二加速偏壓對所述金屬離子進行加速后注入到基底上，在所述基底上得到金屬注入層；其中，所述第二加速偏壓為0.5-100kV。
4.根據權利要求1所述的覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述基底厚度25μm，所述金屬注入層厚度為0-1μm，所述銅膜厚度為0.5-12μm。
5.根據權利要求1所述的覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述氣體離子源為陽極層離子源、霍爾離子源和考夫曼源中的一種。
6.根據權利要求1所述的覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述步驟B中，金屬為Ni、Cu、Cr、Ti、Zr、V中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的覆銅板的高速真空制備方法，其特征在于，所述基底材料為PI、PE、PP、PTEE、PS、PPA、PTO、PEEK、PC、PA、PSU、PET、PPS、PEN、PES、LCP中的一種或多種。
8.一種覆銅板，其特征在于，采用權利要求1-7任一項所述的覆銅板的高速真空制備方法制備得到。
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