[發(fā)明專利]一種氮化硅導(dǎo)電陶瓷及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010817985.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111943683A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于利學(xué);李正闖;李平齊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/584 | 分類號(hào): | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司: | 青島致嘉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37236 | 代理人: | 李淑花 |
| 地址: | 264200 山東省威海*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 導(dǎo)電 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化硅導(dǎo)電陶瓷及其制備方法,該氮化硅導(dǎo)電陶瓷由以下質(zhì)量百分比的原料制備而成,包括氮化硅陶瓷粉體65?90%、氧化鎂2?6%、氧化釔1?5%、碳化鈦0.5?3%、氮化鈦5?10%、高純碳1?10%、高純氧化硼4?10%。該氮化硅導(dǎo)電陶瓷以氮化硅陶瓷粉體為基體原料,再與其它助劑進(jìn)行復(fù)配,通過(guò)脫脂脫膠、燒結(jié)的步驟制備成具有良好導(dǎo)電性能的氮化硅陶瓷材料,該材料在保持了陶瓷固有的優(yōu)良性能的基礎(chǔ)上,便于對(duì)其采用放電方法進(jìn)行加工,降低加工難度,提高加工效率。本發(fā)明所述制備方法簡(jiǎn)單,原料易得,賦予氮化硅陶瓷優(yōu)良的導(dǎo)電性能,擴(kuò)大了氮化硅陶瓷的使用范圍,因此,本發(fā)明所述制備方法具有重要的意義。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于先進(jìn)陶瓷材料領(lǐng)域,具體涉及一種氮化硅導(dǎo)電陶瓷及其制備方法。
背景技術(shù)
氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì),本身具有潤(rùn)滑性,并且耐磨損,為原子晶體;高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會(huì)碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性,人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機(jī)葉片、機(jī)械密封環(huán)、永久性模具等機(jī)械構(gòu)件。
氮化硅陶瓷材料作為一種優(yōu)異的高溫工程材料,最能發(fā)揮優(yōu)勢(shì)的是其在高溫領(lǐng)域中的應(yīng)用。氮化硅今后的發(fā)展方向是:(1)充分發(fā)揮和利用氮化硅本身所具有的優(yōu)異特性;(2)在氮化硅粉末燒結(jié)時(shí),開(kāi)發(fā)一些新的助熔劑,研究和控制現(xiàn)有助熔劑的最佳成分;(3)改善制粉、成型和燒結(jié)工藝;(5)研制氮化硅與SiC等材料的復(fù)合化,以便制取更多的高性能復(fù)合材料。
由于氮化硅陶瓷本身高強(qiáng)度和高硬度的性能,常以金剛石刀具進(jìn)行切割,但傳統(tǒng)的金剛石加工的方法加工效率低且成本昂貴。氮化硅陶瓷屬于絕緣體,其電阻率約為1015Ω·cm量級(jí),是不可能用放電方法進(jìn)行加工的,從而使其后期加工困難。同時(shí),在某些需要兼具導(dǎo)電性和氮化硅陶瓷固有性能的材料中,氮化硅導(dǎo)電陶瓷的研發(fā)則具有重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種氮化硅導(dǎo)電陶瓷及其制備方法,從而獲得一種高導(dǎo)電的氮化硅陶瓷材料。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
一種氮化硅導(dǎo)電陶瓷,由以下質(zhì)量百分比的原料制備而成,包括氮化硅陶瓷粉體65-90%、氧化鎂2-6%、氧化釔1-5%、碳化鈦0.5-3%、氮化鈦5-10%、高純碳1-10%、高純氧化硼4-10%。
優(yōu)選的,本發(fā)明所述的一種氮化硅導(dǎo)電陶瓷,由以下質(zhì)量百分比的原料制備而成,包括氮化硅陶瓷粉體65-90%、氧化鎂2-6%、氧化釔1-5%、碳化鈦0.5-3%、氮化鈦5-10%、高純碳1-10%、高純氧化硼4-10%。
本發(fā)明所述氮化硅導(dǎo)電陶瓷的制備方法,包括以下步驟:
(1)稱取各原料,濕法研磨并混合均勻后干燥陳化,獲得陶瓷坯體;
(2)脫脂脫膠:將步驟(1)陳化后的陶瓷坯體依次在300-430℃保溫15min、430-580℃保溫10min、580-600℃保溫5min、600-650℃保溫10min,實(shí)現(xiàn)陶瓷坯體的脫脂脫膠;
(3)燒結(jié):將步驟(2)獲得的陶瓷坯體在氮?dú)鈿夥障录訜岬?750℃,8-10MPa的壓力下,燒結(jié)曲線為:600℃保溫18min,1300℃保溫30min,1580℃保溫30min,1650℃保溫15 min,在1750℃保溫30 min;制得氮化硅導(dǎo)電陶瓷制品。
進(jìn)一步的,所述步驟(1)中濕法研磨的粒徑為0.7-50μm。
進(jìn)一步的,所述步驟(1)中干燥陳化的時(shí)間為10-20h。
進(jìn)一步的,所述步驟(3)的升溫速度為2℃/min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司,未經(jīng)威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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