[發(fā)明專利]具有中點(diǎn)電壓跟蹤功能的全橋逆變電路柵極驅(qū)動(dòng)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010817838.5
• 申請(qǐng)日: 2020-08-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112104205A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱耀麟;武桐;陳鑫;孟超;胡向東;李子龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安工程大學(xué);紹興市柯橋區(qū)西紡紡織產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新研究院
• 主分類號(hào): H02M1/08
• 分類號(hào): H02M1/08;H02M1/088;H02M7/5387
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 韓玙

本發(fā)明公開(kāi)了一種具有中點(diǎn)電壓跟蹤功能的全橋逆變電路柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括由H橋高邊功率管VT1和H橋高邊功率管VT2構(gòu)成的H橋高邊電路，H橋高邊功率管VT1和H橋高邊功率管VT2與電源連接，H橋高邊功率管VT1還通過(guò)連接H橋中點(diǎn)M1后與H橋低邊功率管VT3連接，H橋高邊功率管VT2還通過(guò)連接H橋中點(diǎn)M2后與H橋低邊功率管VT4連接，H橋低邊功率管VT3和H橋低邊功率管VT4構(gòu)成H橋低邊電路，H橋低邊功率管VT3和H橋低邊功率管VT4同時(shí)與公共地連接，H橋中點(diǎn)M1和H橋中點(diǎn)M2之間連接有負(fù)載，本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的H橋高邊功率柵極與源極之間的柵源電壓不能保持恒定，導(dǎo)致當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，柵源電壓的變化對(duì)漏源電流的大小造成影響的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于全橋逆變電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有中點(diǎn)電壓跟蹤功能的全橋逆變電路柵極驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

目前，針對(duì)構(gòu)成低壓(供電電壓低于50V)全橋逆變電路(又稱H橋逆變電路，簡(jiǎn)稱H橋)的功率MOSFET(又稱功率管)，其柵極驅(qū)動(dòng)電路大都采用自舉電路來(lái)達(dá)到對(duì)H橋高邊柵極進(jìn)行浮動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)的目的。自舉電路是靠其自舉電容的充放電過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓浮動(dòng)的。由于電容的充放電過(guò)程是非線性的，因此H橋高邊功率MOSFET柵極與源極之間的柵源電壓不能保持恒定，根據(jù)功率MOSFET的靜態(tài)輸出特性可知，這會(huì)導(dǎo)致當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，其漏源電流不能保持恒定，從而使柵源電壓的變化對(duì)漏源電流的大小造成影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種具有中點(diǎn)電壓跟蹤功能的全橋逆變電路柵極驅(qū)動(dòng)電路，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的H橋高邊功率MOSFET柵極與源極之間的柵源電壓不能保持恒定，導(dǎo)致當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，其漏源電流不能保持恒定，從而使柵源電壓的變化對(duì)漏源電流的大小造成影響的問(wèn)題。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是，一種具有中點(diǎn)電壓跟蹤功能的全橋逆變電路柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括由H橋高邊功率管VT1和H橋高邊功率管VT2構(gòu)成的H橋高邊電路，H橋高邊功率管VT1和H橋高邊功率管VT2與電源連接，H橋高邊功率管VT1還通過(guò)連接H橋中點(diǎn)M1后與H橋低邊功率管VT3連接，H橋高邊功率管VT2還通過(guò)連接H橋中點(diǎn)M2后與H橋低邊功率管VT4連接，H橋低邊功率管VT3和H橋低邊功率管VT4構(gòu)成H橋低邊電路，H橋低邊功率管VT3和H橋低邊功率管VT4同時(shí)共同與公共地連接，H橋中點(diǎn)M1和H橋中點(diǎn)M2之間連接有負(fù)載。

本發(fā)明的特點(diǎn)還在于，