[發明專利]高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 202010817663.8
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111925803B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 王溯;蔣闖;季崢;郭杰;吳禮文;張雪東
• 申請（專利權）人: 上海新陽半導體材料股份有限公司
• 主分類號: C09K13/06
• 分類號: C09K13/06;H01L21/311
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 王衛彬;陳卓

1.一種蝕刻液，其特征在于，按質量份數計，其由下述組分組成：如式A所示的化合物1.00-9.50份、磷酸76.92-84.15份和水13.58-14.85份；

2.如權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，

所述的水為去離子水、蒸餾水、純水和超純水中的一種或多種；

和/或，所述的蝕刻液為用于蝕刻氧化硅和/或氮化硅的蝕刻液。

3.如權利要求2所述的蝕刻液，其特征在于，

所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅的蝕刻液；

和/或，所述的蝕刻液為用于蝕刻氧化硅和/或氮化硅的蝕刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅為在圖案化的硅半導體晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；

和/或，所述的蝕刻液為用于蝕刻氧化硅和/或氮化硅的蝕刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅為層疊結構，所述的層疊結構的層數為20-200層。

4.如權利要求3所述的蝕刻液，其特征在于，

按質量份數計，所述的如式A所示的化合物的含量為1.00份、4.50份、9.50份；

和/或，按質量份數計，所述的磷酸的含量為76.92份、81.17份、84.15份；

和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的質量比為8.10:1、18.04:1、84.15:1；

和/或，按質量份數計，所述的水的含量為13.58份、14.33份、14.85份；

和/或，所述的蝕刻液為用于蝕刻氧化硅和/或氮化硅的蝕刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅為在圖案化的硅半導體晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度為

5.如權利要求4所述的蝕刻液，其特征在于，

按質量份數計，所述的如式A所示的化合物的含量為4.50份；

和/或，按質量份數計，所述的磷酸的含量為81.17份；

和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的質量比為18.04:1；

和/或，按質量份數計，所述的水的含量為14.33份。

6.如權利要求1-5中任一項所述的蝕刻液，其特征在于，所述的蝕刻液為以下任一方案：

方案1：

所述的蝕刻液由下述組分組成：1.00％-9.50％的如式A所示的化合物、76.92％-84.15％的磷酸和余量的水，其中，百分比為各組分的質量占所述的蝕刻液的質量的百分比；

方案2：

所述的蝕刻液由下述組分組成：1.00％的如式A所示的化合物、84.15％的磷酸和余量的水，其中，百分比為各組分的質量占所述的蝕刻液的質量的百分比；

方案3：

所述的蝕刻液由下述組分組成：4.50％的如式A所示的化合物、81.17％的磷酸和余量的水，其中，百分比為各組分的質量占所述的蝕刻液的質量的百分比；

方案4：

所述的蝕刻液由下述組分組成：9.50％的如式A所示的化合物、76.92％的磷酸和余量的水，其中，百分比為各組分的質量占所述的蝕刻液的質量的百分比。

7.一種如權利要求1-6中任一項所述的蝕刻液在蝕刻氧化硅和/或氮化硅中的應用。

8.如權利要求7所述的蝕刻液在蝕刻氧化硅和/或氮化硅中的應用，其特征在于，

所述的蝕刻液用于蝕刻氮化硅；

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅應用于半導體材料中；

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅為氧化硅膜和/或氮化硅膜，所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度為

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅為層疊結構，所述的層疊結構的所述的層疊結構的層數為20-200層；

和/或，所述的蝕刻的溫度為150-165℃；

和/或，所述的蝕刻的時間為500-6500秒；

和/或，所述的蝕刻包括以下步驟：將所述的氧化硅和/或氮化硅在150-165℃蝕刻500-6500秒后，將氧化硅和/或氮化硅取出，清洗，干燥，用TEM切片觀察氧化硅和/或氮化硅的蝕刻情況。