[發明專利]高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 202010817298.0
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111925802B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 王溯;蔣闖;季崢;史筱超
• 申請（專利權）人: 上海新陽半導體材料股份有限公司
• 主分類號: C09K13/06
• 分類號: C09K13/06;H01L21/311
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 王衛彬;陳卓

1.一種蝕刻液，其由下列重量份數的組分組成：1~9.5份化合物M，76.5-84.6份磷酸和13.5-14.9份水；

。

2.如權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液；

和/或，所述的化合物M與磷酸的質量比為1：(8-77)。

3.如權利要求2所述的蝕刻液，其特征在于，所述的化合物A與磷酸的質量比為1：8-1：18。

4.如權利要求3所述的蝕刻液，其特征在于，所述的化合物A與磷酸的質量比為1：18。

5.如權利要求2所述的蝕刻液，其特征在于，所述的化合物M的重量份數為1.0份、4.5份或9.5份；

和/或，所述的磷酸的重量分數為76.5份、76.9份、81.2份、84.2份或84.6；

和/或，所述的水的重量分數為13.5份、13.6份、14.3份、14.8份或14.9份；

和/或，當所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液時，所述的蝕刻在氧化硅膜存在下進行；

和/或，當所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液時，所述的氮化硅膜為在圖案化的硅半導體晶片上形成的氮化硅膜；

和/或，當所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液時，所述的氮化硅膜的厚度為50?~5000?。

6.如權利要求5所述的蝕刻液，其特征在于，所述的化合物A的重量份數為4.5份；

和/或，所述的磷酸的重量分數為76.9份-81.2份；

和/或，所述的水的重量分數為13.6-14.8份。

7.如權利要求6所述的蝕刻液，其特征在于，所述的磷酸的重量分數為81.2份；

和/或，所述的水的重量分數為14.3份。

8.如權利要求1、2或5中任一項所述的蝕刻液，其特征在于，所述的化合物M的質量百分數為4.5%-9.5%；

和/或，所述的磷酸的質量百分數為76.5%-84.2%；

和/或，所述的水的質量百分數為14%-14.8%；

和/或，所述的水選自去離子水、蒸餾水、純水和超純水中的一種或多種；

和/或，當所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液，所述的蝕刻在氧化硅膜存在下進行時，所述的氧化硅膜為在圖案化的硅半導體晶片上形成的氧化硅膜；

和/或，當所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液、所述的蝕刻在氧化硅膜存在下進行時，所述的氧化硅膜的厚度為50?~500?；

和/或，當所述的蝕刻液為用于蝕刻氮化硅膜的蝕刻液、所述的蝕刻在氧化硅膜存在下進行時，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜為氧化硅膜和氮化硅膜的層疊結構，所述的層疊結構的層數為10~200層。

9.如權利要求8所述的蝕刻液，其特征在于，所述的化合物A的質量百分數為4.5%；

和/或，所述的磷酸的質量百分數為76.9%-81.2%；

和/或，所述的水的質量百分數為14.3%-14.8%。

10.如權利要求9中所述的蝕刻液，其特征在于，所述的磷酸的質量百分數為81.2%；

和/或，所述的水的質量百分數為14.3%。

11.如權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，所述的蝕刻液各組分質量百分數為如以下任一方案1、方案2或方案3所述；

方案1、4.5%化合物M，81.2%磷酸和14.3%水；

方案2、1%化合物M，84.2%磷酸和14.8%水；

方案3、9.5%化合物M，76.9%磷酸和13.6%水。

12.一種如權利要求1-11中任一項所述的蝕刻液在蝕刻氮化硅膜和/或氧化硅膜的應用。