[發明專利]增強模式III族氮化物基晶體管器件

在審

• 申請號: 202010815432.3
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN112397585A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: G·普雷希特;G·庫拉托拉;O·赫伯倫
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;申屠偉進

1.一種增強模式III族氮化物基晶體管器件，包括：

本體，包括第一表面，本體包括布置在III族氮化物溝道層上的III族氮化物勢壘層并且在其間形成能夠支持二維載氣的異質結，

第一單元場，包括多個晶體管單元，每個晶體管單元包括在第一表面上且在縱向方向上基本上彼此平行延伸的源極指狀物、柵極指狀物和漏極指狀物，柵極指狀物橫向地布置在源極指狀物與漏極指狀物之間，并且包括布置在金屬柵極指狀物與第一表面之間的p摻雜III族氮化物指狀物，

邊緣區，圍繞多個晶體管單元并且包括邊緣終止結構，

其中邊緣終止結構包括隔離環和p摻雜III族氮化物流道，隔離環局部地中斷二維載氣，p摻雜III族氮化物流道與縱向方向橫斷地延伸并且橫向地位于隔離環和漏極指狀物的第一端之間。

2.根據權利要求1所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，其中，p摻雜III族氮化物流道電耦合到柵極電位或電耦合到源極電位。

3. 根據權利要求1或2所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，漏極電極的第一端與p摻雜III族氮化物流道間隔開距離L_DEdge，并且漏極指狀物與柵極指狀物之間的距離是L_DG，其中L_DEedge ≥L_DG。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，金屬柵極指狀物形成與p摻雜III族氮化物指狀物的肖特基接觸。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，其中，p摻雜III族氮化物流道還包括延伸，以形成橫向圍繞第一單元場的連續環。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，其中，p摻雜III族氮化物流道從p摻雜III族氮化物指狀物延伸并且與p摻雜III族氮化物指狀物成為一體。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，其中，p摻雜III族氮化物流道和p摻雜III族氮化物指狀物一起形成連續環，所述連續環橫向圍繞漏極指狀物。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，p摻雜III族氮化物流道與隔離環橫向間隔開，或者p摻雜III族氮化物流道的外側區與隔離環橫向重疊。

9. 根據權利要求1至8中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，其中，

隔離環包括注入區，注入區具有深度從而局部地中斷二維載氣，或者

隔離環包括凹部，凹部包括絕緣材料，凹部具有基部，基部位于距離第一表面的深度處，以便局部地中斷異質結和二維載氣。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，還包括場板，其中，場板位于金屬柵極指狀物的漏極側處以及p摻雜III族氮化物流道的漏極側處。

11.根據權利要求10所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，其中，場板是橫向圍繞漏極指狀物并且與漏極指狀物間隔開的連續環。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的增強模式III族氮化物基晶體管器件，還包括源極連接的流道，源極連接的流道橫向布置在p摻雜III族氮化物流道與隔離環之間。