[發(fā)明專利]具有軟著陸的子字線驅(qū)動器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010813870.6
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN112908382B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李奎錫
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及具有軟著陸的子字線驅(qū)動器。一種存儲器裝置包含多個子字線驅(qū)動器，其中每一子字線驅(qū)動器經(jīng)配置以接收主字線信號，且經(jīng)配置以基于所述主字線信號及相位信號而將相應(yīng)局部字線驅(qū)動到作用中狀態(tài)、軟著陸狀態(tài)或斷開狀態(tài)中的至少一者。所述存儲器裝置還包含多個相位驅(qū)動器，其中每一相位驅(qū)動器經(jīng)配置以產(chǎn)生所述相應(yīng)相位信號。所述存儲器裝置可進一步包含處理裝置，其經(jīng)配置以在從所述作用中狀態(tài)轉(zhuǎn)變到所述斷開狀態(tài)時在進入所述斷開狀態(tài)之前將所述相應(yīng)局部字線驅(qū)動到所述軟著陸狀態(tài)，以便提供對應(yīng)于所述多個子字線驅(qū)動器的鄰近局部字線之間的行錘擊應(yīng)力緩解。每一子字線驅(qū)動器包含二極管連接的晶體管。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例涉及DRAM存儲器裝置的架構(gòu)及緩解DRAM存儲器裝置中的行錘擊應(yīng)力的軟著陸方法。

背景技術(shù)

存儲器裝置廣泛地用于存儲與例如計算機、無線通信裝置、相機、數(shù)字顯示器及類似者的各種電子裝置相關(guān)的信息。頻繁地提供存儲器裝置作為計算機或其他電子裝置中的內(nèi)部、半導(dǎo)體集成電路及/或外部可移動裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性及非易失性存儲器。包含隨機存取存儲器(RAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)等的易失性存儲器可能需要經(jīng)施加功率的源維護其數(shù)據(jù)。相比之下，非易失性存儲器即使在無外部供電時也可保持其存儲數(shù)據(jù)。非易失性存儲器可用于各種技術(shù)中，包含閃速存儲器(例如，NAND及NOR)相變存儲器(PCM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)、電阻性隨機存取存儲器(RRAM)及磁性隨機存取存儲器(MRAM)等。改進存儲器裝置通常可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度或另外減少操作等待時間、增加可靠性、增加數(shù)據(jù)保持、減少功率消耗或減少制造成本等。

存儲器裝置在存儲器裝置的各種電路內(nèi)采用多種信號。用于將信號施加到信號線的信號驅(qū)動器在例如集成電路等電子裝置中是常用的。一個此類信號驅(qū)動器可用于對存儲器單元陣列中的字線施加電壓。字線可從一組全局字線驅(qū)動器(在本文中也被稱為“主字線驅(qū)動器”或“MWD”)延伸通過存儲器單元陣列。全局字線驅(qū)動器可響應(yīng)于存儲器裝置接收到對應(yīng)于字線的行地址而選擇性地致動字線中的每一者。對應(yīng)于所接收行地址的行中的存儲器單元中的每一者隨后將所存儲的數(shù)據(jù)施加到相應(yīng)感測放大器。

例如DRAM等一些半導(dǎo)體存儲器裝置將信息存儲為累積于單元電容器(“單元”)中的電荷，其中單元經(jīng)組織成行。在一些情況下，應(yīng)用于一個行中的單元的電荷可干擾一或多個鄰近“受害”行中的電荷，或單元可以其它方式丟失其電荷，此事件被稱為“泄漏”。某些泄漏的情況可當(dāng)存儲器行經(jīng)歷“行錘擊”時發(fā)生，這是在較短時間內(nèi)(例如，在小于順序刷新操作之間的持續(xù)時間內(nèi))將行重復(fù)驅(qū)動到有效電平且所述激活影響一或多個鄰近受害行的時候。這可引起受害行中的單元電荷改變，從而將存儲在此處的信息置于危險中。

各種存儲器系統(tǒng)使用一或多個策略來解決泄漏，例如行錘擊應(yīng)力緩解或目標(biāo)行刷新(TRR)。行錘擊應(yīng)力緩解可包含主機或控制器在隨機或定期基礎(chǔ)上對受害行自動執(zhí)行刷新操作。在一些實施例中，行錘擊應(yīng)力緩解可包含控制局部字線電壓，使得在從作用中狀態(tài)轉(zhuǎn)到預(yù)充電狀態(tài)時，局部字線電壓暫停在中間電壓電平達預(yù)定時間周期(在本文中稱為“軟著陸狀態(tài)”)。通過暫停在中間電壓電平，鄰近存儲器行不會經(jīng)歷電壓電平的快速改變的影響，且可緩解行錘擊應(yīng)力。

延伸通過陣列的字線中的每一者可相對較長，且因此可具有實質(zhì)電容。此外，字線可由可具有相對高電阻的多晶硅制成。字線的相對高電容及相對高電阻的組合可使得全局字線驅(qū)動器難以快速切換字線上的信號電平，特別是在存儲器單元陣列的較遠(yuǎn)離全局字線驅(qū)動器的部分中。為了緩解此問題，常規(guī)上將存儲器單元陣列劃分成較小的存儲器單元陣列，且在這些較小存儲器單元陣列中的至少一些之間制造局部字線驅(qū)動器(在本文中也被稱為“子字線驅(qū)動器”及“SWD”)。然而，在相關(guān)技術(shù)存儲器裝置中，可進一步優(yōu)化SWD及對應(yīng)MWD的布局區(qū)域。此外，相關(guān)技術(shù)SWD中的金屬(BEOL)連接歸因于需要的控制引腳的數(shù)目而可能為復(fù)雜的。另外，相關(guān)技術(shù)SWD及/或MWD中的軟著陸狀態(tài)的電壓電平不可調(diào)整，且因此行錘擊緩解可能不會得以優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容