[發明專利]一種光功率調節方法、裝置、存儲介質及ONU設備

在審

• 申請號: 202010813809.1
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN112054850A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 王嘉偉
• 申請（專利權）人: 深圳市普威技術有限公司
• 主分類號: H04B10/564
• 分類號: H04B10/564;H04B10/079
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 麥小嬋;郝傳鑫

本發明公開了一種光功率調節方法，包括：檢測第一光功率及第一電流；根據所述第一電流控制所述第一光功率進行對應的調節，以得到第二光功率；根據當前溫度、當前消光比及所述第二光功率在預設的光功率與調制電流關系中查找對應的第一調制電流；控制所述第一調制電流保持不變，并調節偏置電流，直至當前光功率與所述第二光功率相等，若檢測的當前電流值滿足預設的設備安全運行條件，則發射光功率為所述第二光功率。本發明實施例還公開了一種光功率調節裝置、存儲介質及ONU設備，能在設備溫度升高的情況下,保證ONU設備的安全運行，同時能夠滿足光功率和消光比的要求。

技術領域

本發明涉及通信技術領域，尤其涉及一種光功率調節方法、裝置、存儲介質及ONU設備。

背景技術

目前，光模塊的光電二極管(PD)檢測到半導體激光器(LD)發出的光，將光信號轉換MPD電流并提供給光芯片，光模塊的光芯片通過改變半導體激光器的偏置電流來控制維持背光電流(即MPD電流)的大小，從而維持光功率的恒定。

但是，在現有技術中，對于同一目標光功率，高溫時需要的半導體激光器的電流要大于的常溫，而電流過大可能會導致兩個問題：一是電流較大時ONU設備的突發時間會上升(協議要求GPON ONU的上升時間小于12.8ns)，二是電流太大會影響到TOSA的使用壽命，甚至破壞TOSA。因此，如何調節半導體激光器的電流，既能滿足光功率和消光比的要求，又能不損壞ONU設備，是當前面對的主要問題。

發明內容

本發明實施例提供一種光功率調節方法、裝置、存儲介質及ONU設備，能在設備溫度升高的情況下,保證ONU設備的安全運行，同時能夠滿足光功率和消光比的要求。

本發明一實施例提供一種光功率調節方法，包括：

控制光模塊檢測第一光功率及第一電流；

根據所述第一電流控制所述第一光功率進行對應的調節，以得到第二光功率；

根據當前溫度、當前消光比及所述第二光功率在預設的光功率與調制電流關系中查找對應的第一調制電流；

控制所述第一調制電流保持不變，并調節偏置電流，直至當前光功率與所述第二光功率相等，控制所述第一調制電流保持不變，并調節偏置電流，直至當前光功率與所述第二光功率相等，若檢測的當前電流值滿足預設的設備安全運行條件，則發射光功率為所述第二光功率。

作為上述方案的改進，所述根據所述第一電流值控制所述第一光功率進行對應的調節，以得到第二光功率，具體包括：

判斷所述第一電流值是否滿足預設的設備安全運行條件；

響應于判斷結果為不滿足預設的設備安全運行條件，則對應的調節為第二光功率。

作為上述方案的改進，所述方法還包括：響應于判斷結果為滿足預設的設備安全運行條件，則所述發射光功率為所述第一光功率。

作為上述方案的改進，在所述響應于判斷結果為不滿足預設的設備安全運行條件，則對應的調節為第二光功率之后，還包括：

判斷所述第二光功率是否大于預設的第一光功率閾值；其中，所述第一光功率閾值包括：光功率偏移量以及最低光功率；

響應于判斷結果為大于預設的第一光功率閾值，則允許所述第一光功率調節為所述第二光功率；

響應于判斷結果為小于預設的第一光功率閾值，則結束光功率調節。

作為上述方案的改進，所述預設的設備安全運行條件，具體為：

小于滿足設備突發時間要求時的最大電流。

作為上述方案的改進，所述方法通過以下步驟獲取預設的光功率與調制電流對應關系，具體包括：