[發明專利]一種太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202010813062.X
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN111933752A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 張玥;金井升;王東;熊詩龍;白明華
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 錢嫻靜

1.一種太陽能電池制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

對制絨后的N型半導體襯底進行硼擴散，形成硼擴散層；

對所述半導體襯底進行背面刻蝕后氧化，形成第一氧化層，并在所述第一氧化層表面沉積多晶硅層；

對所述多晶硅層進行磷擴散，形成摻磷多晶硅層；

在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層，并在所述第二氧化層表面形成背面鈍化層；

在所述硼擴散層的表面形成正面鈍化層；以及

在所述正面鈍化層和/或所述背面鈍化層上形成電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為0.5nm～5nm；和/或，所述第二氧化層包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在對所述多晶硅層進行磷擴散，形成摻磷多晶硅層之后，并在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層之前，所述方法還包括：

去除在所述磷擴散過程中形成的磷硅玻璃層。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層之后，并在所述第二氧化層表面形成背面鈍化層之前，所述方法還包括：

去除所述N型半導體襯底正面繞鍍的多晶硅層；

去除在所述硼擴散過程中形成的硼硅玻璃層。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在對所述多晶硅層進行磷擴散，形成摻磷多晶硅層之后，并在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層之前，所述方法還包括：

去除所述N型半導體襯底正面繞鍍的多晶硅層；

去除在所述磷擴散過程中形成的磷硅玻璃層及在所述硼擴散過程中形成的硼硅玻璃層。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層，包括：

采用濕化學氧化法和/或熱氧化法在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層；或，

采用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、原子層沉積法中的任意一種方法在所述摻磷多晶硅層表面沉積形成第二氧化層。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層，包括：

采用熱氧化法在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層，熱氧化溫度為500℃～600℃，熱氧化時間為150s～300s。

8.根據權利要求6所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在所述摻磷多晶硅層表面形成第二氧化層，包括：

將所述N型半導體襯底背面的所述摻磷多晶硅層浸泡于氧化性溶液中進行濕化學氧化處理，所述氧化性溶液包括鹽酸溶液及臭氧，所述鹽酸溶液的質量濃度為0.1％～0.5％，所述臭氧濃度為20ppm～30ppm，浸泡時間為30s～60s。

9.根據權利要求3或5所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述去除在所述磷擴散過程中形成的磷硅玻璃層，包括：

用配制好的混合酸酸洗所述N型半導體襯底背面的磷硅玻璃層30s～60s，所述混合酸包括質量濃度為2％～10％的氫氟酸溶液與質量濃度為2％～10％的鹽酸溶液；

將酸洗后的N型半導體襯底背面進行水洗、烘干處理。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池由權利要求1至9任一項所述的太陽能電池制備方法得到，所述太陽能電池包括由上至下依次排布的第一電極、第一鈍化層、硼擴散層、半導體襯底、第一氧化層、摻磷多晶硅層、第二氧化層、第二鈍化層、第二電極。