[發明專利]一種跨導放大電路及混頻器有效
| 申請號: | 202010812636.1 | 申請日: | 2020-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN111969957B | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發明(設計)人: | 王三路 | 申請(專利權)人: | 西安博瑞集信電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03D7/16 | 分類號: | H03D7/16;H03F1/02;H03F1/26;H03F3/68 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市高新區*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 放大 電路 混頻器 | ||
1.一種跨導放大電路,其特征在于,所述跨導放大電路包括:至少一個跨導放大單元;所述至少一個跨導放大單元中的每個跨導放大單元包括:兩個晶體管,一個電感,兩個電容;
其中,針對至少一個跨導放大單元中的每個跨導放大單元,一個跨導放大單元中的第一晶體管M1和第一電感L1作為第一跨導放大單元的第一級放大電路,對輸入信號VINP進行放大,第一電感L1作為所述第一晶體管M1的負載,所述第一晶體管M1漏端的信號通過第三電容C3耦合到第三晶體管M3的柵端,通過所述第三晶體管M3對信號進行第二次放大,第一電容C1作為旁路電容,確保所述第三晶體管M3的源端信號是交流地;
所述第一晶體管M1和第一電感L1用于對所述輸入信號VINP進行第一次放大處理,所述第一電感L1作為所述第一晶體管M1的負載,所述第三晶體管M3用于對耦合信號進行第二次放大處理,所述第一電容C1用于將所述第三晶 體管M3的源端信號為交流地。
2.根據權利要求1所述的跨導放大電路,其特征在于,所述至少一個跨導放大單元包括第一跨導放大單元和第二跨導放大單元;
其中,所述第一跨導放大單元包括:第一晶體管M1、第三晶體管M3、第一電感L1、第三電容C3以及第一電容C1;所述第一晶體管M1的柵端作為差分輸入信號端口VINP,所述第一晶體管M1的源端與GND相連接,所述第一晶體管M1的漏端與第一電感L1的一端、第三電容C3的一端相連接;所述第三晶體管M3的柵端與第三電容C3的另一端相連接,所述第三晶體管M3的源端與第一電容C1的一端、第一電感L1的另一端相連接,所述第三晶體管M3的漏端與輸出電路的一端相連接,第一電容C1的另一端與GND相連接;所述第二跨導放大單元包括:第二晶體管M2、第四晶體管M4、第二電感L2、第四電容C4以及第二電容C2;所述第二晶體管M2的柵端作為差分輸入信號端口VINN,所述第二晶體管M2的源端與GND相連接,所述第二晶體管M2的漏端與第二電感L2的一端、第四電容C4的一端相連接;所述第四晶體管M4的柵端與第四電容C4的另一端相連接,所述第四晶體管M4的源端與第二電容C2的一端、第二電感L2的另一端相連接,所述第四晶體管M4的漏端與所述輸出電路的另一端相連接,第二電容C2的另一端與GND相連接。
3.根據權利要求2所述的跨導放大電路,其特征在于,所述第一跨導放大單元的第一晶體管M1與第三晶體管M3為共源共柵管;所述第二跨導放大單元中的第二晶體管M2與第四晶體管M4為共源共柵管。
4.一種混頻器,其特征在于,所述混頻器包括如權利要求1至2中任一項所述的跨導放大電路,和所述跨導放大電路連接的輸出電路;
其中,所述跨導放大電路中的第三晶體管M3的漏端與所述輸出電路一端相連接;所述跨導放大電路中的第四晶體管M4的漏端與所述輸出電路另一端相連接。
5.根據權利要求4所述的混頻器,其特征在于,所述輸出電路包括:第一電阻R1、第二電阻R2、第五晶體管M5、第六晶體管M6、第七晶體管M7、第八晶體管M8。
6.根據權利要求5所述的混頻器,其特征在于,所述第五晶體管的柵端與第八晶體管M8的柵端相連接,共同作為本振信號輸入端口LOP;所述第五晶體管的漏端與所述第一電阻R1的一端、所述第七晶體管M7的漏端相連接,共同作為輸出端口VOUTP;所述第六晶體管M6的柵端與所述第七晶體管M7的柵端相連接,共同作為本振信號輸入端口LON;所述第六晶體管M6的漏端與所述第二電阻R2的一端、所述第八晶體管M8的漏端相連接,共同作為輸出端口VOUTN;所述第五晶體管M5的源端與所述第六晶體管M6的源端相連接,共同作為輸出電路的一端且與第一跨導放大單元中所述第三晶體管M3的漏端相連接;所述第七晶體管M7的源端與所述第八晶體管M8的源端相連接,共同作為輸出電路的另一端且與第二跨導放大單元中所述第四晶體管M4的漏端相連接;所述第一電阻R1的另一端與所述第二電阻R2的另一端共同與VDD相連接。
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