[發明專利]半導體裝置和制造該半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202010812419.2
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN113113420A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 金在澤;鄭蕙英
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11573
• 分類號: H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

單元源極結構；

第一疊層，所述第一疊層設置在所述單元源極結構上，并且包括彼此交替層疊的絕緣圖案和導電圖案；

外圍源極結構；以及

電阻器圖案，所述電阻器圖案設置在所述外圍源極結構上，

其中，所述電阻器圖案與所述第一疊層的最下部的絕緣圖案設置在相同的水平。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述電阻器圖案包括導電部和設置在所述導電部的兩側的犧牲部。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述導電部包括導電材料，并且

所述犧牲部包括絕緣材料。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，

其中，所述第一疊層的所述導電圖案包括第一材料，并且所述電阻器圖案的所述導電部包括第二材料，并且

其中，所述第一材料與所述第二材料相同。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述第一疊層的所述導電圖案和所述電阻器圖案的所述導電部包括導電膜和屏障膜。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述屏障膜包括氮化鈦和氮化鉭中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

第二接觸件，所述第二接觸件穿過所述外圍源極結構，

其中，所述電阻器圖案連接到所述第二接觸件。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

外圍晶體管，所述外圍晶體管通過所述第二接觸件電連接到所述電阻器圖案。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述外圍晶體管設置在所述外圍源極結構下方。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

間隔件，所述間隔件位于所述單元源極結構和所述外圍源極結構之間，

其中，所述單元源極結構和所述外圍源極結構通過所述間隔件而彼此間隔開。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

第二疊層，所述第二疊層位于所述第一疊層和所述電阻器圖案之間。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

虛設圖案，所述虛設圖案位于所述第一疊層和所述第二疊層之間。

13.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

外圍晶體管；

絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋所述外圍晶體管；

單元源極結構和外圍源極結構，所述單元源極結構和所述外圍源極結構位于所述絕緣膜上；

第一疊層，所述第一疊層設置在所述單元源極結構上，并且包括彼此交替層疊的絕緣圖案和導電圖案；

電阻器圖案，所述電阻器圖案位于所述外圍源極結構上；以及

第二接觸件，所述第二接觸件穿過所述外圍源極結構，以將所述外圍晶體管和所述電阻器圖案彼此電連接。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

虛設圖案，所述虛設圖案位于所述電阻器圖案和所述第一疊層之間，

其中，所述虛設圖案包括與所述第一疊層相鄰的第一導電部和與所述電阻器圖案相鄰的第一犧牲部。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，所述第一導電部與所述導電圖案包括相同的材料。

16.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，所述電阻器圖案包括連接到所述第二接觸件的第二導電部和設置在所述第二導電部的兩側的第二犧牲部。